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28納米
28納米 文章 進(jìn)入28納米技術(shù)社區
聯(lián)電28納米趕路苦 今年獲利估降
- 聯(lián)電苦于追趕28納米制程進(jìn)度，法人擔憂(yōu)公司市占率流失及競爭力不足，對于聯(lián)電今年獲利預計低于去年，目前本土法人對聯(lián)電今年EPS預估由0.7元下調至0.4元左右。 聯(lián)電已耗費一年時(shí)間致力于提高28納米良率，但仍無(wú)法邁入穩定量產(chǎn)階段，公司管理層也預估今年底28納米產(chǎn)品僅有個(gè)位數的營(yíng)收貢獻度。法人擔憂(yōu)聯(lián)電28納米制程進(jìn)展過(guò)慢，無(wú)法跟上變化快速的市場(chǎng)，恐導致今年市占率流失。法人認為，聯(lián)電已錯失智能型手機、平板計算機等可攜式裝置的升級趨勢;預期聯(lián)電未來(lái)兩季將面臨高階通訊產(chǎn)品需求疲弱、先進(jìn)制程市占率流失等問(wèn)題
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卡位14/16nm市場(chǎng) 晶圓廠(chǎng)加碼FinFET研發(fā)
- 全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后，臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續公布FinFET制程發(fā)展藍圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設計業(yè)者效能更佳的制造方案，搶占通訊與消費性電子IC制造商機。 鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來(lái)行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸，各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構，預計明后年即可開(kāi)花結果，并開(kāi)始挹注營(yíng)收貢獻。 在眾家晶圓廠(chǎng)中，
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晶圓代工龍頭臺積電28納米產(chǎn)能滿(mǎn)到明年
- 晶圓代工龍頭臺積電受惠于行動(dòng)裝置芯片大量導入28納米制程，不僅第4季28納米產(chǎn)能利用率維持滿(mǎn)載，以目前手中掌握的訂單來(lái)看，就算明年新產(chǎn)能大量開(kāi)出，仍可望滿(mǎn)載到明年下半年，持續推升營(yíng)收及獲利成長(cháng)。 至于20納米亦可望在明年下半年順利進(jìn)入試產(chǎn)，并成為2014年的最大成長(cháng)動(dòng)能。 臺積電日前公布10月合并營(yíng)收，達499.38億元，較9月大增15.2%，并再度創(chuàng )下歷史新高紀錄。 雖然外資圈看好臺積電本季營(yíng)收將超標，不過(guò)，臺積電仍維持先前法說(shuō)會(huì )中的預期，預估第4季合并營(yíng)收將落在1,290～1,3
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臺積28納米產(chǎn)能 滿(mǎn)到明年
- 晶圓代工龍頭臺積電(2330)受惠于行動(dòng)裝置芯片大量導入28納米制程，不僅第4季28納米產(chǎn)能利用率維持滿(mǎn)載，以目前手中掌握的訂單來(lái)看，就算明年新產(chǎn)能大量開(kāi)出，仍可望滿(mǎn)載到明年下半年，持續推升營(yíng)收及獲利成長(cháng)。 至于20納米亦可望在明年下半年順利進(jìn)入試產(chǎn)，并成為2014年的最大成長(cháng)動(dòng)能。 臺積電日前公布10月合并營(yíng)收，達499.38億元，較9月大增15.2%，并再度創(chuàng )下歷史新高紀錄。 雖然外資圈看好臺積電本季營(yíng)收將超標，不過(guò)，臺積電仍維持先前法說(shuō)會(huì )中的預期，預估第4季合并營(yíng)收將落在1,2
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臺積電撥936億擴充產(chǎn)能
- 晶圓龍頭臺積電(2330)昨天董事會(huì )通過(guò)約936億元資本預算擴充先進(jìn)制程產(chǎn)能，與12寸超大晶圓廠(chǎng)廠(chǎng)房興建案，是近期電子業(yè)難得的大手筆動(dòng)作。 龍頭大廠(chǎng)在先進(jìn)制程的擴產(chǎn)腳步，不受下半年景氣回檔而停歇。外資高盛證券預期，臺積電今年資本支出將達95億美元，超乎公司預估的83億美元。 在智能手機及平板計算機市場(chǎng)需求驅動(dòng)下，臺積電以高資本支出策略，企圖甩掉三星、格羅方德等國際競爭大廠(chǎng)。今年初，臺積電資本支出從60億美元資本支出上調至80至85億美元;上季法說(shuō)，董事長(cháng)張忠謀表示，年底為止的資本支出將落在
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首個(gè)DDR4 IP設計解決方案在28納米級芯片上獲驗證
- 全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過(guò)硅驗證。 為了擴大在動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)接口IP技術(shù)上的領(lǐng)先地位，Cadence在DDR4標準高級草案的基礎上，承擔并定制了多款28納米級晶片DDR PHY 和控制器的IP。DDR4標準建議稿預計在今年年底由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )(JE
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中芯國際啟動(dòng)建設40－28納米集成電路生產(chǎn)線(xiàn)
- 中芯國際集成電路制造公司將與北京相關(guān)機構聯(lián)合投資72億美元，在北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區建設兩條40-28納米12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。前天，中芯國際北京公司二期項目合作框架簽字儀式舉行，市委書(shū)記劉淇，市委副書(shū)記、市長(cháng)郭金龍出席簽字儀式。 中芯國際是中國內地規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)，目前分別在北京、上海、天津建有多條8-12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。其中北京的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)自2002年啟動(dòng)建設以來(lái)，累計完成投資25.5億美元，月產(chǎn)12英寸晶圓片4.3萬(wàn)片。為進(jìn)一步做強北京集成電路產(chǎn)業(yè)，市經(jīng)信委
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SpringSoft發(fā)表Laker定制IC設計平臺與全新模擬原型工具
- 全球EDA領(lǐng)導廠(chǎng)商SpringSoft日前宣布，現即提供Laker3?定制IC設計平臺與模擬原型(Analog Prototyping)工具。第三代熱銷(xiāo)的Laker產(chǎn)品系列對于模擬、混合信號、與定制數字設計與版圖，提供完整的OpenAccess(OA)環(huán)境，并在28與20納米的流程中，優(yōu)化其效能與互操作性。
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張忠謀：28納米 客戶(hù)排隊搶產(chǎn)能
- 臺積電董事長(cháng)張忠謀19日表示，臺積電28納米制程需求強勁，已有客戶(hù)排隊要產(chǎn)能，臺積電不排除調高今年資本支出。但這不代表所有半導體業(yè)者都一樣好，他維持今年全球半導體市場(chǎng)成長(cháng)2%的看法不變。 張忠謀19日應輔大管理學(xué)院「永續成長(cháng)論壇」邀請，演講「我如何看待大學(xué)教育」，并發(fā)表對臺積電近期狀況與半導體業(yè)看法。張忠謀透露，臺積電接單狀況佳，主要受惠智能手機、平板計算機相關(guān)訂單強勁，這也讓臺積電市占率持續提升。 臺積電28納米接單火熱，推升昨天股價(jià)再寫(xiě)歷史新高，盤(pán)中最高來(lái)到84.2元，收盤(pán)價(jià)83.7元
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臺積電28納米估可占今年營(yíng)收一成
- 臺積電28納米去年底量產(chǎn)后，良率問(wèn)題謠言不斷，臺積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德(Maria Marced)近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年營(yíng)收一成。 法人計算，臺積電今年營(yíng)收在4,000億元以上，28納米今年貢獻400億元，穩居同業(yè)第一。 馬塞德上周出席歐洲一科技論提，接受媒體采訪(fǎng)時(shí)指出，臺積電28納米缺點(diǎn)密度減少的情況一直符合公司預期，比起40納米，28納米的改善情況甚至還更好。 馬塞德表示，臺積電28納米占去年第四季營(yíng)收2%比重，約21億元營(yíng)業(yè)額，28納米占
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聯(lián)華電子與Kilopass簽訂長(cháng)期技術(shù)藍圖合作協(xié)議
- 聯(lián)華電子與半導體邏輯NVM硅智財領(lǐng)導廠(chǎng)商Kilopass，日前共同宣布，雙方已拓展了原本既有的制造協(xié)議范疇。除了現有協(xié)議中的40納米低功耗制程之外，此次擴展的部份將包含聯(lián)華電子55納米到0.13微米制程。未來(lái)計劃包括聯(lián)華電子28納米HKMG與Poly/SiON制程，也將視客戶(hù)需求而加入。此項技術(shù)藍圖可支持雙方客戶(hù)的尖端系統單芯片設計，于廣泛的聯(lián)華電子制程平臺上，采用Kilopass的XPMTM、GustoTM、與IteraTMNVM產(chǎn)品。 由Kilopass在嵌入式邏輯NVM技術(shù)上的領(lǐng)導地位，以
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良率和需求讓28納米制程遭受挑戰
- 盡管接下來(lái)幾年，晶圓制造領(lǐng)域將持續以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長(cháng)，但Gartner和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著(zhù)來(lái)自先進(jìn)28nm制程節點(diǎn)的挑戰。 特別是今天許多晶圓廠(chǎng)都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(HKMG)CMOS制程，Gartner研究副總裁Bob Johnson說(shuō)?！耙?8nm上制造塊狀硅HKMG很困難。所有的晶圓廠(chǎng)現在都遭遇良率和缺陷密度問(wèn)題，”他表示。 半導體設備制造商 KLA-Tencor 公司總裁兼CEO Richa
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28納米介紹
就是指制造工藝，比如說(shuō)CPU，以前的制造工藝是130nm，后來(lái)又出現了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機主板芯片里面的半導體溝道之間的距離，現在做到28納米了，之所以賣(mài)家要說(shuō)這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來(lái)會(huì )出現負面的效應，耗能散熱的問(wèn)題，電子通過(guò)的通道越窄，一來(lái)是工藝越難 [ 查看詳細 ]
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