EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
28納米
28納米 文章 進(jìn)入28納米技術(shù)社區
臺積電率先推出28納米低耗電平臺
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開(kāi)發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導體可以持續往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過(guò)驗證的傳統類(lèi)比/射頻/電子熔線(xiàn)(analog
- 關(guān)鍵字： 臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
臺積電將28納米制程定位為全世代制程
- 臺積電日前宣布，將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程，同時(shí)提供客戶(hù)高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇，以支持不同產(chǎn)品的應用及效能需求。此一28納米制程預計于2010年第一季開(kāi)始生產(chǎn)。 臺積公司28納米系列制程同時(shí)具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化硅閘晶體管兩種選擇的彈性制造能力，而28納米制程將是此一系列中的全世代制程。目前有多個(gè)客戶(hù)正使用臺積公司28納米制程進(jìn)行產(chǎn)品設計，藉由與客戶(hù)密切的協(xié)同合作，可以讓客戶(hù)選用最佳化的晶體管材料
- 關(guān)鍵字： 臺積電 28納米
28納米介紹
就是指制造工藝，比如說(shuō)CPU，以前的制造工藝是130nm，后來(lái)又出現了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機主板芯片里面的半導體溝道之間的距離，現在做到28納米了，之所以賣(mài)家要說(shuō)這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來(lái)會(huì )出現負面的效應，耗能散熱的問(wèn)題，電子通過(guò)的通道越窄，一來(lái)是工藝越難 [ 查看詳細 ]
28納米資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473