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10納米
10納米 文章 進(jìn)入10納米技術(shù)社區
英特爾10納米芯片推遲 AMD新工藝芯片進(jìn)展順利
- 本月早些時(shí)候，AMD公布了今年第二季度財報，除了一系列營(yíng)收數據之外，AMD還透露已經(jīng)放棄20nm工藝，下一代處理器以及GPU將全面進(jìn)入1xnm FinFET陣營(yíng)?，F在，AMD的工藝更迭有了新的進(jìn)展。 在19日的財務(wù)會(huì )議上，AMD CEO蘇姿豐透露首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，盡管沒(méi)有透露具體是哪兩款產(chǎn)品，業(yè)界推測，這兩款芯片很有可能就是Zen架構的CPU和代號“Arctic Islands(北極島)”。 另外，我們還
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臺積電公布16納米與10納米制程計劃
- 晶圓代工大廠(chǎng)臺積電(TSMC)近日宣布將推出精簡(jiǎn)型、低功耗版本的16納米FinFET制程，并公布其更先進(jìn)納米制程技術(shù)藍圖;臺積電預定自今年中開(kāi)始量產(chǎn)最新的16納米FinFET Plus (16FF+)制程，并在2016年展開(kāi)10納米制程生產(chǎn)。 在20納米芯片正式量產(chǎn)之后，臺積電宣布于2015年中開(kāi)始量產(chǎn)16FF+ 制程，該公司并表示采用此新制程的芯片性能可提升10%，功耗能比20納米芯片低50%，周期時(shí)間(cycle time)則是20納米芯片的兩倍。臺積電共同執行長(cháng)劉德音(Mark Liu)并
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臺積電宣布：研發(fā)大將蔣尚義將于10月31日退休
- 臺積電宣布主導研發(fā)的執行副總暨共同營(yíng)運長(cháng)蔣尚義將于10月31日退休。業(yè)界人士分析，接班人之一的蔣尚義退休后，執行副總暨共同營(yíng)運長(cháng)還有劉德音與魏哲家，將是最可能接班的人選。 蔣尚義原就是臺積電研發(fā)大將，2006年首次退休前，協(xié)助臺積電將制程技術(shù)推進(jìn)到65納米;目前則已進(jìn)入研發(fā)10納米制程的新世代。 從蔣尚義2009年重回臺積電帶領(lǐng)研發(fā)迄今，臺積電單季毛利率一度突破50%，今年第二季也維持在49%的高水平，整體研發(fā)經(jīng)費更是連續五季超過(guò)100億元，讓臺積電在先進(jìn)制程的優(yōu)勢愈來(lái)愈明顯。 蔣尚
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應材新檢測設備 支持10納米
- 設備大廠(chǎng)應用材料宣布推出新世代的缺陷檢測及分類(lèi)技術(shù)，加速達成10納米及以下的頂尖芯片生產(chǎn)良率。SEMVision G6系統獨特的多維影像分析功能為半導體制造提供最高分辨率及影像質(zhì)量，先進(jìn)的系統設計與全自主式功能，能提高100%更快速的產(chǎn)出。 包括臺積電、英特爾等半導體大廠(chǎng)，已經(jīng)展開(kāi)10納米的研發(fā)作業(yè)，設備大廠(chǎng)應用材料在其SEMVision系列設備上，推出一套最新缺陷檢測及分類(lèi)技術(shù)，該設備的缺陷分析系統結合前所未有高分辨率、多維影像分析功能，及革命性創(chuàng )新的Purity自動(dòng)化缺陷分類(lèi)(ADC)系統高
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臺積電10納米 競爭壓力大
- 半導體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍圖，其中眾所關(guān)注的10納米預計2015年量產(chǎn)，比原先規劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺積電(2330)的時(shí)間。 臺積電的10納米預計2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導體業(yè)界人士表示，雖然英特爾技術(shù)不斷超前，是因應處理器速度的需求，但英特爾已在晶圓代工正式卡位，一旦10納米在2015年量產(chǎn)，對臺積電仍有潛在的競爭壓力。 臺積電日前一度因為美國寬松貨幣政策傳出退場(chǎng)，跌破108元月線(xiàn)區，昨天股價(jià)收盤(pán)小漲1.5元，收在109.5元，股價(jià)獲得支撐。
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超越臺積電 格羅方德稱(chēng)2015推出10納米晶圓
- 晶圓代工廠(chǎng)格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(cháng)蘇比(SubiKengeri)日前來(lái)臺，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。 格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠(chǎng)，但憑著(zhù)超微在處理器技術(shù)的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務(wù)客戶(hù)經(jīng)驗，ICInsights統計，2012年公司躍進(jìn)晶
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臺積電2017追上英特爾 不只是放狠話(huà)
- 臺積電共同營(yíng)運長(cháng)蔣尚義昨(22)日表示，臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程。為了滿(mǎn)足客戶(hù)需求，臺積電已決定加快研發(fā)腳步，“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”，時(shí)間點(diǎn)就落在2017年。 臺積電董事長(cháng)張忠謀在日前法說(shuō)會(huì )中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16納米FinFET制程要提前一年量產(chǎn)。主掌臺積電技術(shù)研發(fā)的蔣尚義昨天則說(shuō)明，加快16納米量產(chǎn)，是因為客戶(hù)對此有
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英特爾或在以色列生產(chǎn)新一代10納米工藝芯片
- 英特爾以色列子公司2012年出口額翻番至46億美元，該公司正尋求將英特爾下一代芯片的生產(chǎn)放在以色列。 英特爾以色列子公司2011年的出口額為22億美元，而2012年同比增長(cháng)率達到109%。這主要是由于以色列南部水牛城(Kiryat Gat)工廠(chǎng)的22納米工藝生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始投產(chǎn)，目前維持著(zhù)100%的產(chǎn)能。 英特爾是全球排名第一的芯片廠(chǎng)商，該公司將于未來(lái)2至3年內在愛(ài)爾蘭和美國的工廠(chǎng)引入14納米技術(shù)，并開(kāi)始考慮發(fā)展10納米技術(shù)。英特爾以色列公司高管表示，希望將10納米技術(shù)引入以色列工廠(chǎng)。 英
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張忠謀：全球半導體市場(chǎng)連好5年
- 4月15日早間消息，據臺灣媒體報道，臺灣晶圓代工龍頭臺積電昨(14)日在美國舉行年度技術(shù)論壇，董事長(cháng)張忠謀表示，今明兩年全球半導體市場(chǎng)均將健康成長(cháng)，2011至2014年呈溫和成長(cháng)，年復合成長(cháng)率達4.2%。 張忠謀還稱(chēng)，半導體產(chǎn)業(yè)需要更多合作，且早在芯片設計開(kāi)始之前就要合作，才能有效降低成本，臺積電在20納米、14納米、10納米等先進(jìn)制程研發(fā)中不會(huì )缺席。 由于半導體市場(chǎng)景氣明顯復蘇，臺積電年度技術(shù)論壇吸引將近1800名客戶(hù)或合作伙伴代表參加，而張忠謀在演說(shuō)時(shí)則針對未來(lái)5年半導體市場(chǎng)景氣、臺積
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三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動(dòng)存儲形式. 多年來(lái),半導體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內存,不過(guò),它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì )發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲. 一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 三星半導體
- 關(guān)鍵字： 三星 PCM 34納米 10納米 12納米
10納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條10納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對10納米的理解，并與今后在此搜索10納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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