臺積電10納米 競爭壓力大

　　半導體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍圖，其中眾所關(guān)注的10納米預計2015年量產(chǎn)，比原先規劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺積電(2330)的時(shí)間。

　　臺積電的10納米預計2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導體業(yè)界人士表示，雖然英特爾技術(shù)不斷超前，是因應處理器速度的需求，但英特爾已在晶圓代工正式卡位，一旦10納米在2015年量產(chǎn)，對臺積電仍有潛在的競爭壓力。

　　臺積電日前一度因為美國寬松貨幣政策傳出退場(chǎng)，跌破108元月線(xiàn)區，昨天股價(jià)收盤(pán)小漲1.5元，收在109.5元，股價(jià)獲得支撐。

　　英特爾副總經(jīng)理兼元件研究處長(cháng)麥克(Mike Mayberry)在剛剛落幕的比利時(shí)微電子研究機構IMEC2013科技論壇演講中確認，英特爾已確定10納米可于2015年量產(chǎn)。

　　根據最新技術(shù)藍圖，英特爾重申繼續執行「Tick-Tock」發(fā)展策略，也就是每?jì)赡陮Π雽w技術(shù)制程進(jìn)行大規模升級。英特爾預計2014年導入14納米制程，2015年導入10奈足制程，并計劃于2017年抵達7納米的極先進(jìn)水平。

　　不過(guò)，麥克(Mike Mayberry)表示，英特爾也在研發(fā)10納米以下替代矽的半導體材料，如3-D晶體管、三五族復合半導等，只希望能將半導體性能發(fā)揮至極致，提升各類(lèi)運算的應用需求。

　　英特爾今年初因與臺積電大客戶(hù)阿爾特拉(Altera)簽署14 納米Finfet代工合約，被視為進(jìn)軍晶圓代工的正式起跑點(diǎn)。

　　臺積電共同營(yíng)運長(cháng)暨執行副總蔣尚義上月表示，臺積電以前與英特爾「河水不犯井水」，不過(guò)，隨著(zhù)英特爾開(kāi)始搶臺積電客戶(hù)的生意，臺積電先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展將加速，希望在10納米全面趕上英特爾。

　　臺積電預計16納米Finfet僅與20納米差距一年，于2015年推出，10納米計劃2017年導入量產(chǎn)，在英特爾技術(shù)不斷領(lǐng)先下，對臺積電形成挑戰。