非贏(yíng)不可的一戰：臺積電明年Q1建10納米試產(chǎn)線(xiàn)
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編者按： 雖然是半導體制造領(lǐng)域的老大，臺積電也有著(zhù)自己的心事。在半導體制造方面，如何拉開(kāi)與英特爾、三星等勁敵的差距？這也是心事之一。顯然，10nm生產(chǎn)線(xiàn)就是一個(gè)拉開(kāi)差距的機會(huì )，也可謂是最關(guān)鍵的一役。
業(yè)界傳出，臺積電除加速南科廠(chǎng)16納米產(chǎn)能布建，也決定在明年第1季于中科建置10納米試產(chǎn)線(xiàn)，透露臺積電將以中科作為10納米生產(chǎn)重鎮，并加快試產(chǎn)腳步，拉開(kāi)與英特爾、三星等勁敵的差距。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/262175.htm臺積電并未對相關(guān)傳聞置評。設備商透露，受制于設備大廠(chǎng)艾斯摩爾(ASML)極紫外光(EUV)技術(shù)輸出率仍未達量產(chǎn)需求，臺積電10納米仍會(huì )以浸潤式機臺進(jìn)行多重曝光方式，作為顯影核心設備，并集中于12寸晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)。
10納米制程被臺積電視為「最關(guān)鍵的一役」，臺積電董事長(cháng)張忠謀稍早透露，臺積電短期恐在16納米市占略為落后輸競爭對手，不過(guò)，臺積電有信心很快搶回市占率，并積極導入10納米等更先進(jìn)的制程，預定明年下半年完成產(chǎn)品設計定案。
張忠謀當時(shí)說(shuō)，臺積電2013年開(kāi)始進(jìn)行10納米技術(shù)開(kāi)發(fā)，10納米技術(shù)將是繼16納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)及強效版制程16FinFET+之后的第三代FinFET制程，效能與密度將是業(yè)界第一。
臺積電對內宣示，10納米是「非贏(yíng)不可的一戰」，一定要做到比英特爾好，因此由張忠謀親自督軍，并號名近400位研發(fā)人員成立「夜鷹計劃」，讓10納米研發(fā)無(wú)縫接軌、縮短學(xué)習曲線(xiàn)。
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