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越便宜越?jīng)]人買(mǎi)！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶(hù)買(mǎi)漲不買(mǎi)跌
- 11月22日消息，據TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場(chǎng)恢復正常供需狀態(tài)。隨著(zhù)個(gè)人電腦和計算機硬件市場(chǎng)的萎縮，固態(tài)硬盤(pán)的需求依然疲軟，而更多的用戶(hù)也是買(mǎi)漲不買(mǎi)跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買(mǎi)單的人銳減）。TrendForce稱(chēng)，由于NAND閃存供應商積極減產(chǎn)，導致整個(gè)行業(yè)價(jià)格上漲，市場(chǎng)情緒在2022年第三季度末"迅速
- 關(guān)鍵字： SSD 固態(tài)硬盤(pán) 閃存 NAND
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠(chǎng)商新一輪裝備競賽已拉開(kāi)帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿(mǎn)挑戰的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱(chēng)為 1β DRAM，而三星將其稱(chēng)為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標志著(zhù)美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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三星明年將升級NAND核心設備供應鏈
- 據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其N(xiāo)AND核心設備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設備運行測試。?三星平澤P1工廠(chǎng)未來(lái)大部分產(chǎn)線(xiàn)將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線(xiàn)，此次采購的TEL設備是用于整個(gè)半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時(shí)，三星旗下設備解決方案部門(mén)的庫存已增至
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要漲價(jià)？?jì)却?、閃存同時(shí)需求大漲
- 這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價(jià)格持續處于地位，內存、SSD硬盤(pán)產(chǎn)品也越來(lái)越便宜。不過(guò)，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢(xún)最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠(chǎng)仍然會(huì )延續減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費電子市場(chǎng)需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場(chǎng)在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來(lái)到相對低點(diǎn)，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場(chǎng)需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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三星計劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構，超 300 層
- IT之家 8 月 18 日消息，據 DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過(guò) 300 層。報道稱(chēng)，這將使三星的進(jìn)度超過(guò) SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎上建立另一個(gè)堆棧。
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鎧俠宣布運營(yíng)兩個(gè)新研發(fā)設施，加強閃存和SSD研發(fā)能力
- 6月1日，鎧俠宣布開(kāi)始運營(yíng)兩個(gè)新的研發(fā)設施——位于橫濱技術(shù)園區的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強公司在閃存和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）方面的研發(fā)能力。未來(lái)，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著(zhù)新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區的規模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴大其評估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導體領(lǐng)域尖端基礎研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲技術(shù)，鎧俠還從事其
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NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐
- 據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠(chǎng)在內的主要客戶(hù)，目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場(chǎng)持續呈現疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存
- 【2023 年 4 月 25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車(chē)電子電氣（E/E）架構。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車(chē)域和區域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執行。該器件的性能是當前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應用程序的隨機讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車(chē)輛具有增強安全性和架構靈活性的高級功能。 下一代汽車(chē)更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復雜，并
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以汽車(chē)為目標，英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存
- IT之家 4 月 23 日消息，隨著(zhù)各大車(chē)企都轉向軟件定義的汽車(chē)架構，下一代車(chē)型的設計卻在內存方面面臨著(zhù)問(wèn)題。由于許多原因，傳統的 xSPI NOR 閃存已逐漸無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)的需求。為了滿(mǎn)足汽車(chē)區域架構的新需求，英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結合在一起，從而實(shí)現了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴展性。據介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應用于
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品
- 【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監測儀、無(wú)人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業(yè)應用不斷涌現，有助于實(shí)現精準跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據Omdia 數據顯示，藍牙耳
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群聯(lián)：閃存價(jià)格便宜，需求倍數增加中
- 據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，針對市場(chǎng)關(guān)注的存儲產(chǎn)業(yè)景氣，群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC設計很辛苦，不過(guò)在原廠(chǎng)賠本賣(mài)的狀況下，不認為這樣的狀態(tài)會(huì )持續太久，且因為快閃存儲器價(jià)格便宜，看到需求倍數增加中。潘健成表示，現階段原廠(chǎng)做1顆賠2、3顆，這樣的狀況不會(huì )太久，可能很快會(huì )有公司宣布減產(chǎn)，而控制器設計因為景氣不好停頓了6-9個(gè)月，但群聯(lián)在市場(chǎng)好的時(shí)候，存了不少冬糧，并且正向看待市場(chǎng)對快閃存儲器需求和應用會(huì )越用越多，新的制程也會(huì )愈來(lái)愈多。而據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，NAND Fl
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告別存儲寒冬，2023全球閃存市場(chǎng)需求將回暖？
- 3月23日，長(cháng)江存儲首席運營(yíng)官程衛華對外表示，預計2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%。進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢(xún)指出，鎧俠、美光產(chǎn)線(xiàn)持續低負載，西部數據、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機會(huì )緩解目前供給過(guò)剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。經(jīng)歷過(guò)2022年“寒冬”之后，
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30萬(wàn)次壽命 國產(chǎn)廠(chǎng)商綠芯推出超耐用SSD：10GB起步
- 隨著(zhù)閃存從SLC、MLC向TLC、QLC升級，P/E寫(xiě)入壽命越來(lái)越短，從之前的萬(wàn)次以上減少到如今千次內，好在對一些工控領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，廠(chǎng)商還會(huì )專(zhuān)門(mén)打造超耐用SSD，國產(chǎn)SSD廠(chǎng)商綠芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盤(pán)，擁有多達30萬(wàn)次的P/E壽命。ArmourDrive EX系列硬盤(pán)有mSATA及SATA M.2 2242兩種規格，支持EnduroSLC技術(shù)，P/E壽命根據不同容量在60K、120K及300K之間——也就是最高30萬(wàn)次，這個(gè)性能比早期的SLC閃存還要耐用，后
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(cháng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]
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