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第八代BiCS FLASH厲害在哪里？
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著(zhù)基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無(wú)論在存儲密度、性能都有了顯著(zhù)提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過(guò)專(zhuān)有工藝和創(chuàng )新架構，實(shí)現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開(kāi)發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數據中心、移動(dòng)設備提供了更多潛在可能。技
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閃存大廠(chǎng)鎧俠IPO又進(jìn)一步
- 近日，媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進(jìn)行IPO。鎧俠預計籌資規模將達到5億美元，如若IPO順利進(jìn)行，那么其有望成為2024年日本最大規模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來(lái)的幾周內啟動(dòng)其IPO流程，至于IPO的具體細節仍在討論之中，可能會(huì )根據市場(chǎng)環(huán)境的變化而有所調整。該公司的估值預計將超過(guò)1.5萬(wàn)億日元（合103億美元）。資料顯示，鎧俠于2018年6月從日本東芝集團獨立出來(lái)，2020年鎧俠獲準在東京證券交易所上市，不過(guò)后來(lái)該公司以市場(chǎng)前景不明朗為由推遲上市。
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消息稱(chēng)三星電子確認平澤 P4 工廠(chǎng) 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠(chǎng)建設 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)的投資計劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標明年 6 月投入運營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng )建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場(chǎng)分析機構 Omdia 的話(huà)稱(chēng)，2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話(huà)說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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美光：預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個(gè)位數百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會(huì ) SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個(gè)位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據點(diǎn)。根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)此前報告，地震導致當時(shí)桃園產(chǎn)線(xiàn)上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無(wú)恙，設施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(cháng)期 DRAM 內存供應能力也沒(méi)有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產(chǎn)，但得
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(cháng) 24.5%：三星增長(cháng) 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布市場(chǎng)研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(cháng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續保持上漲，預估環(huán)比會(huì )繼續增長(cháng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星（Samsung）增長(cháng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長(cháng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價(jià)
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西部數據發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤(pán)業(yè)務(wù)分拆
- IT之家 3 月 6 日消息，西部數據近日發(fā)布公告，宣布分拆硬盤(pán)和閃存業(yè)務(wù)上取得了重大進(jìn)展，并會(huì )按期在 2024 年年底前完成分拆，并公布了分拆之后亮相業(yè)務(wù)的主要負責人。圖源：西部數據IT之家于 2023 年 10 月報道，西部數據由于鎧俠合并未果，宣布分拆為兩家獨立上市公司，專(zhuān)注于硬盤(pán)和閃存市場(chǎng)。西部數據表示分拆兩項業(yè)務(wù)，能更好地執行創(chuàng )新技術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，利用獨特的增長(cháng)機會(huì )，擴大各自的市場(chǎng)領(lǐng)導地位，并通過(guò)不同的資本結構更有效地運營(yíng)。西部數據在新聞稿中表示，本次拆分已取得重大進(jìn)展，包括全球法律實(shí)體
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日本東芝正式退市
- 據日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開(kāi)始向東芝發(fā)起總額約2萬(wàn)億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱(chēng)，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開(kāi)資料顯示，東芝創(chuàng )立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2023Q3 全球 DRAM 規模 134.8 億美元，環(huán)比增長(cháng) 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據市場(chǎng)調查機構集邦咨詢(xún)公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規模合計營(yíng)收 134.8 億美元，環(huán)比增長(cháng) 18.0%。集邦咨詢(xún)表示由于下半年需求緩步回溫，買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所增長(cháng)。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠(chǎng)漲價(jià)態(tài)度明確，預估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長(cháng)幅度有限。三家主流廠(chǎng)商情況細分到各家品牌，三大原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所成長(cháng)
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三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達 132.4 億美元，連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)
- 11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開(kāi)始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠(chǎng)商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類(lèi)存儲產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷(xiāo)售額環(huán)比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷(xiāo)售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(cháng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)。全球 DRAM 的銷(xiāo)售額在三季度明顯增長(cháng)，也就意味著(zhù)主要廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額，環(huán)
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存儲市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著(zhù)增長(cháng)、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠(chǎng)商減產(chǎn)的效果逐漸顯現，以及特定應用市場(chǎng)的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢(xún)分析預估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會(huì )持續到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個(gè)明顯變化是
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OptiFlash存儲器技術(shù)如何利用外部閃存應對軟件定義系統中的挑戰
- 在寫(xiě)字樓、工廠(chǎng)車(chē)間和汽車(chē)中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶(hù)可以通過(guò)手機應用程序對智能鎖進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過(guò)軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀(guān)趨勢外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當出現無(wú)線(xiàn)更新的需求時(shí)，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(cháng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]
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