英飛凌.麥克風(fēng) 文章進(jìn)入英飛凌.麥克風(fēng)技術(shù)社區

當SiC MOSFET遇上2L-SRC

導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設計都帶來(lái)了額外的挑戰。應用痛點(diǎn)氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬(wàn)轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì )造成空壓機線(xiàn)包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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IGBT窄脈沖現象解讀

IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級信號到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì )引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現象隨著(zhù)IGBT被高頻PWM調制信號驅動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì )無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續流時(shí)反向恢復特性也會(huì )變快。什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級信號到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì )引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現象隨著(zhù)I
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IGBT門(mén)極驅動(dòng)到底要不要負壓

【導讀】先說(shuō)結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設計的復雜度來(lái)說(shuō)，很多工程師客戶(hù)希望不要使用負壓。下面我們從門(mén)極寄生導通現象來(lái)看這個(gè)問(wèn)題。IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì )產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門(mén)極，使門(mén)極電壓抬升，可能導致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開(kāi)通，如圖1所示。電流變化di/dt可以通過(guò)發(fā)射極和驅動(dòng)回路共用的
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英飛凌深耕傳感技術(shù) 助力健康檢測

　　在疫情反復和隔離封閉的環(huán)境下，如何自主的檢測身體和環(huán)境狀態(tài)并進(jìn)行改善和調整成為當下人們的熱點(diǎn)話(huà)題。近日，英飛凌召開(kāi)“智”在健康媒體會(huì )，根據英飛凌科技大中華區電源與傳感系統事業(yè)部應用市場(chǎng)總監李國豪先生的介紹，英飛凌目前有4類(lèi)廣泛應用的傳感器。第一種是MEMS類(lèi)產(chǎn)品，在手機、耳機、智能音箱上都有廣泛的應用。第二類(lèi)是3D立體毫米波雷達傳感器，主要應用在汽車(chē)領(lǐng)域，雷達傳感器可在較遠距離偵測到是否有障礙物。第三類(lèi)傳感器是3D ToF飛行光傳感器，它能夠偵測到人體或者是物體的距離、深度，可以應用在手機面容解鎖、面
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貿澤電子開(kāi)售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測傳感器腔內CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著(zhù)減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節省超過(guò)75%的空間。貿澤電子分銷(xiāo)的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學(xué)濾波器）、用
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?

該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制，并進(jìn)一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時(shí)應遵循什么準則。
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聚焦醫療照護應用英飛凌發(fā)布多款傳感器方案

英飛凌(Infineon)今日發(fā)表了一系列的先進(jìn)傳感器產(chǎn)品，包含毫米波雷達（mmWave Radar）感測、ToF感測和二氧化碳感測等，并聚焦目前正快速成長(cháng)的醫療照護應用領(lǐng)域，如智能手表、手環(huán)、眼鏡等。此外，包含汽車(chē)、工業(yè)、智慧家庭、智慧建筑，以及新興的元宇宙ARVR等應用也是鎖定的市場(chǎng)。此次發(fā)表的傳感器方案系隸屬于英飛凌XENSIV感測技術(shù)系列中的產(chǎn)品，其中動(dòng)態(tài)偵測器BGT60LTR11AIP，以及先進(jìn)傳感器BGT60TR13C皆是采用毫米波雷達的解決方案，并使用AiP的天線(xiàn)封裝技術(shù)，能縮短系統開(kāi)發(fā)商的
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借助高能效GaN轉換器，提高充電器和適配器設計的功率密度

　　英飛凌科技首席應用工程師Zhong Fang Wang、英飛凌科技高級主任應用工程師Matt Yang　　如今，充電器和適配器應用最常用的功率轉換器拓撲是準諧振（QR）反激式拓撲，因為它結構簡(jiǎn)單、控制簡(jiǎn)便、物料（BOM）成本較低，并可通過(guò)波谷切換工作實(shí)現高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開(kāi)關(guān)頻率，從而限制了功率密度?！　≡赒R反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實(shí)現更
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乘用車(chē)前裝視覺(jué)DMS搭載率不到3%，3D ToF進(jìn)入量產(chǎn)周期

汽車(chē)智能化，離不開(kāi)硬件的迭代。即將亮相的理想L9（理想ONE之后的第二款車(chē)）將搭載3D-ToF傳感器，除了駕駛員眼睛注視和頭部跟蹤監控，還將作為理想自研的深度學(xué)習+多模態(tài)三維空間交互技術(shù)的主要硬件載體。而此前，大部分用于檢測駕駛員疲勞的駕駛員監測系統 (DMS)均采用成本較低的傳統2D可見(jiàn)光攝像頭（配合IR紅外LED）。當應用需要高距離精度以及三維成像時(shí)，3D ToF具有明顯的優(yōu)勢。一般而言，ToF傳感器的圖像處理深度精度比2D攝像頭（視頻流）要高。例如，在一米距離內，ToF利用VCSEL（可選光源的一種
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福田汽車(chē)與英飛凌在京簽訂合作備忘錄攜手開(kāi)啟新能源時(shí)代

　　2011年9月2日，中國北京——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）與福田汽車(chē)今日在京召開(kāi)聯(lián)合新聞發(fā)布會(huì )，宣布雙方簽訂新能源領(lǐng)域合作備忘錄。此次簽約將使雙方在新能源汽車(chē)關(guān)鍵系統開(kāi)發(fā)、充電和儲能系統開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域展開(kāi)深入而廣泛的合作，對于雙方確立共贏(yíng)的伙伴關(guān)系具有重要意義?！　「鶕摵献鱾渫?，福田汽車(chē)將首先在多款電池管理系統（BMS）中采用英飛凌的主動(dòng)平衡解決方案作為其特色供應商，優(yōu)化電池管理系統軟、硬件。這也是英飛凌公司首次將該技術(shù)應用于商用車(chē)領(lǐng)域。英飛凌的主動(dòng)平衡解決方案是針對
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英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強型系列柵極驅動(dòng)器，為電力電子系統提供全面的短路保護

現代電力電子器件需要盡可能實(shí)現更高的系統效率，這也促使器件的功率密度不斷提高。然而，一旦發(fā)生短路故障，就會(huì )對高價(jià)值系統構成威脅。為了避免這種狀況的發(fā)生，并為系統提供可靠的保護，英飛凌科技股份公司近日宣布推出EiceDRIVER? F3 （1ED332x）增強型系列柵極驅動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其EiceDRIVER? 增強型隔離柵極驅動(dòng)器的產(chǎn)品陣容。該系列柵極驅動(dòng)器能夠提供可靠且全面的保護，防止短路故障的發(fā)生，讓包括IGBT在內的傳統功率開(kāi)關(guān)以及CoolSIC?寬禁帶器件得到有效保護。該系列柵極驅動(dòng)器專(zhuān)為工業(yè)驅動(dòng)
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英飛凌將投資逾20億歐元擴大寬禁帶半導體產(chǎn)能

英飛凌將顯著(zhù)擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強其在功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來(lái)西亞居林工廠(chǎng)建造第三個(gè)廠(chǎng)區。建成之后，新廠(chǎng)區將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng )造20億歐元的收入。此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產(chǎn)制造長(cháng)期戰略而做出的決策，居林工廠(chǎng)在200毫米晶圓生產(chǎn)方面所取得的規模經(jīng)濟效應為該項目打下了良好的基礎。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠(chǎng)奠定了公司在半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導
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英飛凌收購NFC專(zhuān)利組合領(lǐng)先知識產(chǎn)權與物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)地位

英飛凌科技股份有限公司，近日完成對France Brevets與Verimatrix公司NFC專(zhuān)利組合的收購。NFC專(zhuān)利組合包含由多個(gè)國家頒發(fā)的近300項專(zhuān)利，這些專(zhuān)利全部與近場(chǎng)通訊（NFC）技術(shù)相關(guān)，包括主動(dòng)負載調變（ALM）等嵌入在集成電路（IC）中的技術(shù)，以及能夠增強NFC的易用性從而給用戶(hù)帶來(lái)便利的技術(shù)。目前英飛凌是該專(zhuān)利組合的唯一擁有者。NFC專(zhuān)利組合之前由France Brevets持有，如今已被全部納入英飛凌的專(zhuān)利管理范圍之中，將助力英飛凌在一些最具挑戰性的環(huán)境中快速且輕松地完成開(kāi)發(fā)工作，從
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英飛凌攜手SensiML 為開(kāi)發(fā)者提供開(kāi)發(fā)軟件和套件

英飛凌科技正與 SensiML 公司進(jìn)行合作，共同為開(kāi)發(fā)者提供 SensiML Analytics Toolkit開(kāi)發(fā)軟件和 ModusToolbox套件，以便他們能夠輕松無(wú)縫地從英飛凌 XENSIV 傳感器中獲取資料、訓練機器學(xué)習 (ML) 模型，并直接在超低功耗 PSoC 6 微控制器 (MCU) 上部署實(shí)時(shí)推理模型。英飛凌攜手 SensiML為智能家庭、健身和工業(yè)應用提供傳感器數據并訓練機器學(xué)習模型SensiML致力于開(kāi)發(fā)AI工具，以建構智慧物聯(lián)網(wǎng)終端。透過(guò)此次合作，雙方將為設計人員提供
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基于GaN的高功率密度快充正快速成長(cháng)

1? ?看好哪類(lèi)GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(cháng)。這說(shuō)明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來(lái)5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機驅動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無(wú)線(xiàn)充電、激光雷達等，其中快充會(huì )繼續引領(lǐng)氮化鎵開(kāi)關(guān)器件的市場(chǎng)成長(cháng)。相對于硅
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