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英飛凌.麥克風(fēng)
英飛凌.麥克風(fēng) 文章 進(jìn)入英飛凌.麥克風(fēng)技術(shù)社區
英飛凌推出高分辨率車(chē)用3D影像傳感器
- 3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監控系統中發(fā)揮著(zhù)舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng )新的汽車(chē)智慧座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對于滿(mǎn)足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實(shí)現自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技（Infineon）與專(zhuān)注于3D ToF（飛時(shí)測距）系統領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3影像傳感器，該傳感器符合ISO 26262標準，具有更高的分辨率。英飛凌3D感測業(yè)務(wù)副總裁Christian Herzum表示，在針對行動(dòng)消費終端的3D傳感器領(lǐng)域，英飛凌一直處
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢
- 現在的高功率變頻器和驅動(dòng)器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線(xiàn)和PCB的走線(xiàn)產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì )從高壓母線(xiàn)電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負電壓。電平轉移高壓驅動(dòng)芯片有兩個(gè)主要組成部分：1 電平轉移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號轉換成以VS腳為參考的輸出驅動(dòng)信號。2 自舉二極管，對浮地端的供電電容進(jìn)行充電。對于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅動(dòng)芯
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英飛凌推出AIROC? CYW20820藍牙?和低功耗藍牙?片上系統，實(shí)現靈活、低功耗及高性能的連接
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍牙? 和低功耗藍牙?片上系統（SoC），進(jìn)一步壯大其AIROC藍牙系列的產(chǎn)品陣容。AIROC CYW20820 藍牙和低功耗藍牙片上系統，專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)應用而設計，符合藍牙5.2核心規范。它可支持家居自動(dòng)化以及傳感器的豐富應用場(chǎng)景，包括醫療、家居、安防、工業(yè)、照明、藍牙Mesh網(wǎng)絡(luò )以及其他需要采用低功耗藍牙或雙模藍牙連接的物聯(lián)網(wǎng)應用。 AIROC? CYW20820 A
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英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
- 隨著(zhù)市場(chǎng)對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長(cháng)期以來(lái)的100W功率限制，最高功率可達到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿(mǎn)足更大功率的設備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激 （HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿(mǎn)足不同的產(chǎn)品定位需求● 相比傳統QR,ACF
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時(shí)的損耗
- IGBT主要用于電機驅動(dòng)和各類(lèi)變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動(dòng)電壓不超過(guò)15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì )損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏(yíng)得時(shí)間，驅動(dòng)保護電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費的器
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PIM模塊中整流橋的損耗計算
- 在通用變頻器或伺服驅動(dòng)器的設計中，經(jīng)常會(huì )用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車(chē)單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據后面逆變IGBT的電流等級來(lái)合理配置的，且由于其多數都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結溫波動(dòng)很小，因此其通常不會(huì )是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時(shí)也不會(huì )特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶(hù)的機型要滿(mǎn)足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來(lái)做系統的熱設計，這時(shí)就需要計算整流橋的損耗。而目
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響
- 在IGBT時(shí)代，門(mén)極電壓的選擇比較統一，無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門(mén)極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門(mén)極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業(yè)1200V SiC MOSFET的M1H系列產(chǎn)品與應用為參考，其他不同電壓等級或不同廠(chǎng)家的SiC產(chǎn)品，不盡相同。在SiC產(chǎn)品的規格書(shū)中，都會(huì )有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區間(如圖1所示)，以供大家在實(shí)際應用中參考。但是推薦非強制，
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絕緣體上硅（SOI）驅動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列
- 在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅動(dòng)芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術(shù)，本文會(huì )繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過(guò)長(cháng)期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡(jiǎn)稱(chēng)SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統的導電型的硅襯底，它有三層結構，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結構，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進(jìn)行電路的刻蝕，形成驅動(dòng)IC的工作層。圖１.絕緣
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英飛凌推出新一代高性能XENSIV MEMS麥克風(fēng)
- 英飛凌科技（Infineon）發(fā)布了新一代XENSIV MEMS麥克風(fēng)。新產(chǎn)品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型號，進(jìn)一步壯大了英飛凌的麥克風(fēng)產(chǎn)品組合，同時(shí)也為業(yè)界樹(shù)立了新標竿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風(fēng)適用于各種消費電子產(chǎn)品，例如具有主動(dòng)降噪（ANC）功能的耳機、TWS耳機、具有波束成形功能的會(huì )議設備、筆記本電腦、平板計算機或具有語(yǔ)音交互功能的智能音箱。此外該產(chǎn)品還適用于某些工業(yè)類(lèi)應用，例如預側性維護和安全等。這些高性能MEMS麥克風(fēng)旨在以更高的精度和音質(zhì)擷取音頻訊
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英搏爾率先采用英飛凌750 V車(chē)規級分立式IGBT EDT2組件
- 海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車(chē)規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。 這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車(chē)主逆變器和直流鏈路放電開(kāi)關(guān)的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現系統整合。英搏爾MCU技術(shù)總監劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設計電機控制單元（MCU）的技術(shù)路線(xiàn)，不斷開(kāi)發(fā)出高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品，從而始終保持
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英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車(chē)規級分立式IGBT EDT2器件
- 中國領(lǐng)先的車(chē)載逆變器供應商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車(chē)規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個(gè)型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車(chē)主逆變器和直流鏈路放電開(kāi)關(guān)的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現系統集成。?? ? ? ? &
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英飛凌 BCR CYPD3177之100W PD控制方案
- 隨著(zhù)PD產(chǎn)品在市場(chǎng)的日趨成長(cháng)，Type-C連接口的應用越來(lái)越廣泛，PD協(xié)議是以Type-C作為載體傳輸資料或充電，也就是說(shuō)PD協(xié)議需要搭配Type-C界面來(lái)實(shí)現。常見(jiàn)筆電標配的電源供應器由于體積較大，加上不好收納的電源線(xiàn)，影響攜帶時(shí)的便利性，因此利用大功率的PD充電器加上誘騙器即能快速解決問(wèn)題。具有智慧快充誘騙功能的PD電源，可解決USB輸入口供電不足的問(wèn)題并結合快充功能的充電器使用，達到輸出功率更大，效率更高，提高其實(shí)用性，并可利用不同的PD電源產(chǎn)品利用誘騙器來(lái)提供給無(wú)Type C界面的產(chǎn)品使用，既可提
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英飛凌推出新一代高性能 XENSIV? MEMS 麥克風(fēng)，為消費電子產(chǎn)品帶來(lái)出色的音頻捕捉能力
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布了新一代XENSIV? MEMS麥克風(fēng)。新產(chǎn)品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款不同的型號，進(jìn)一步壯大了英飛凌的麥克風(fēng)產(chǎn)品組合，同時(shí)也為行業(yè)樹(shù)立了新標桿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風(fēng)適用于各種消費電子產(chǎn)品，例如具有主動(dòng)降噪（ANC）功能的耳機、TWS耳機、具有波束成形功能的會(huì )議設備、筆記本電腦、平板電腦或具有語(yǔ)音交互功能的智能音箱。此外該產(chǎn)品還適用于某些工業(yè)類(lèi)應用，例如預側性維護和安全等。XENSIV? MEMS Microphone?這些
- 關(guān)鍵字： 麥克風(fēng) 音頻
安富利：英飛凌(INFINEON) OPTIGA為物聯(lián)網(wǎng)潛力保駕護航
- 物聯(lián)網(wǎng)提升生活品質(zhì)的潛力有賴(lài)于無(wú)數設備之間分享、傳輸和訪(fǎng)問(wèn)海量信息的能力。不過(guò)這種便利卻增加了數據泄露的風(fēng)險，因此需要強大的安全技術(shù)，以保護敏感數據。這就是為什么安富利為您推介英飛凌，實(shí)事可以證明其解決方案將對您的物聯(lián)網(wǎng)設計非常有價(jià)值?！ ∮w凌OPTIGA物聯(lián)網(wǎng)安全解決方案在物聯(lián)網(wǎng)節點(diǎn)參考設計中并入了主管安全的器件。它還包括了使用意法半導體(ST Micro)傳感器的傳感器中樞和圍繞Dialog Semi設計的低功耗藍牙模塊，通用性極強。令人印象深刻的是，英飛凌OPTIGA Trust產(chǎn)品為在安全應
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如何計算驅動(dòng)芯片的desat保護時(shí)間
- SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅動(dòng)電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統典型的驅動(dòng)芯片退飽和檢測原理，芯片內置一個(gè)恒流源。功率開(kāi)關(guān)器件在門(mén)極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升至母線(xiàn)電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅動(dòng)器關(guān)閉輸出。
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英飛凌.麥克風(fēng)介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對英飛凌.麥克風(fēng)的理解，并與今后在此搜索英飛凌.麥克風(fēng)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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