英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案

隨著(zhù)市場(chǎng)對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長(cháng)期以來(lái)的100W功率限制，最高功率可達到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿(mǎn)足更大功率的設備供電。

英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案

●    采用混合反激 （HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出

●    可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿(mǎn)足不同的產(chǎn)品定位需求

●    相比傳統QR,ACF拓撲，具有明顯的系統優(yōu)勢：

   - HFB拓撲優(yōu)勢，磁性器件更?。ㄓ肦M8實(shí)現140W設計）

   - 全軟開(kāi)關(guān)控制，EMI更易處理

   - HFB級用CoolMOS? 即可達到業(yè)界領(lǐng)先的效率和功率密度

   -同步整流可使用80V MOSFET，降低成本及器件的選型難度

●    協(xié)議部份采用了基于A(yíng)RM核的EZ-PD? CCG3PA，支持PD3.1 EPR

XDP? 用于高功率充電器和適配器的控制器

數字多模式混合反激(HFB) IC - XDPS2201

系統/ 應用概況

關(guān)鍵特性

集成600V高壓?jiǎn)?dòng)和高低邊MOS 驅動(dòng)

●    多模式運作 用于優(yōu)化不同輸入，輸出及負載條件下的效率

  -在所有條件下實(shí)現ZVS

  -CRM* 實(shí)現最優(yōu)效率

  -ZV-RVS** 改善輕載效率

  -Active burst-mode 改善極輕輕載效率和待機功耗

●    支持 USB-PD 變電壓輸出應用

●    頻率抖動(dòng) 用于改善EMI

●    高度靈活可變的IC參數 通過(guò)UART 配置滿(mǎn)足指定系統的需求

●    高系統可靠性 IC集成整套完備的保護

  -可通過(guò)引腳讀出

*   CRM: 連續諧振模式

**  ZV-RVS: 零電壓諧振谷底開(kāi)關(guān)

EZ-PD? CCG3PA

即插件即用型 USB-C PD 控制器

系統/ 應用概況

關(guān)鍵特性

●    USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC

●    基于A(yíng)rm? Cortex?-M0 的 MCU 64KB Flash

●    EZ-PD 配置功能可針對客戶(hù)特定規格進(jìn)行參數配置

●    集成計時(shí)/計數/脈寬調制模塊 ，6個(gè)GPIO

●    集成模擬模塊

  -可配置的 VBUS 過(guò)壓保護，過(guò)流, 欠壓, 和短路

  -集成 2個(gè) VBUS 放電管和 及負載開(kāi)關(guān)驅動(dòng)

  - 低邊電流檢測

●    24 QFN (16 mm2)

CoolGaN?

高效，高可靠性的氮化鎵產(chǎn)品

CoolGaN?驅動(dòng)簡(jiǎn)單可靠

電流型驅動(dòng)器件，只要RRC網(wǎng)絡(luò )即可直接驅動(dòng)，簡(jiǎn)單，可靠。

針對適配器應用600V

CoolGaN? 產(chǎn)品陣容

分立CoolGaN?關(guān)鍵特性

●    采混合漏極結構具有非常優(yōu)異的動(dòng)態(tài)Rdson性能

●    柵極電流注入驅動(dòng)

  -柵極不易產(chǎn)生電壓尖峰，集成ESD保護，提高可靠性

  - 通過(guò)注入空穴提升溝道載子密度提高飽和電流密度

  -通過(guò)柵極阻容設計兼容傳統模擬控制器，開(kāi)關(guān)速度可調

●    經(jīng)過(guò)市場(chǎng)及高可靠應用驗證的成熟產(chǎn)品

集成Driver的

CoolGaN?關(guān)鍵特性

●    基于CoolGaN? 開(kāi)發(fā)的集成驅動(dòng)的氮化鎵產(chǎn)品

●    采用半橋結構，目標應用圖騰柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的數字電源方案

●    支持3.3V邏輯電平輸入，集成18nS的抗尖峰脈沖濾波器

●    通過(guò)柵極的Rtr可調節開(kāi)關(guān)速度

PFD7 系列

專(zhuān)為軟開(kāi)關(guān)拓撲設計的CoolMOS?

MOS滯回損耗產(chǎn)生

PFD7專(zhuān)為軟開(kāi)關(guān)設計

●    在軟開(kāi)關(guān)應用中，非常小的滯回損耗提升系統效率

●    集成ESD保護器件提高生產(chǎn)良率，降低成本及產(chǎn)品售后失效率

●    更低的驅動(dòng)損耗 (Qg, Qgd）提升輕載效率

●    集成快恢復體二極管超低 Qrr降低，為半橋開(kāi)關(guān)提供一個(gè)額外的安全裕量，減少設計量

產(chǎn)品陣容

減小滯回損耗的案例

英飛凌65W內部測試用板

●    輸入電壓:90 VAC – 265 VAC

●    輸出電壓: 5 - 20 V

●    標稱(chēng)功率: 65 W

●    工作頻率: 100 - 220 kHz

●    變壓器: RM10LP

OptiMOS?  PD用于

充電器/適配器的低壓MOSFET產(chǎn)品

●    OptiMOS? PD 功率 MOSFETs 的主要封裝 PQFN 3.3x3.3 和PQFN 5*6封裝

●    專(zhuān)為充電器/適配器設計，價(jià)格和交付更有靈活性

●    支持邏輯電平輸入保證在低電壓下完全導通，具有很低的通態(tài)電阻

●    業(yè)界領(lǐng)先的低開(kāi)關(guān)損耗，幫助通過(guò)能效等級測試。

OptiMOS? PD: 

用于同步整流的重點(diǎn)推薦型號

OptiMOS? PD/6:

用于負載開(kāi)關(guān)的重點(diǎn)推薦型號