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如何計算驅動(dòng)芯片的desat保護時(shí)間
- SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅動(dòng)電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統典型的驅動(dòng)芯片退飽和檢測原理，芯片內置一個(gè)恒流源。功率開(kāi)關(guān)器件在門(mén)極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升至母線(xiàn)電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅動(dòng)器關(guān)閉輸出。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 desat 驅動(dòng)芯片
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