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芯片&半導體測試
芯片&半導體測試 文章 進(jìn)入芯片&半導體測試技術(shù)社區
瑞昱UWB芯片 “完成度之高”令人咋舌
- 在此次召開(kāi)的ISSCC2006會(huì )議上，設置了一個(gè)有關(guān)無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)“UWB”的獨立技術(shù)研討會(huì )（SESSION 6）。該研討會(huì )共有8項技術(shù)報告，其中有一場(chǎng)演講令與會(huì )技術(shù)人員充滿(mǎn)敬意：“其完成度真高!”這就是臺灣無(wú)工廠(chǎng)企業(yè)瑞昱半導體（RealtekSemiconductor）和美國加州大學(xué)聯(lián)合成立的研究小組所發(fā)表的UWB通信芯片（演講序號：6.6）。 率先實(shí)現單芯片集成 該研究小組發(fā)表的是將UWB RF收發(fā)電路和OFDM調制解調用物理層電路進(jìn)行單芯片集成的
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英特爾兩項新技術(shù)降低芯片及主板功耗
- 近日，英特爾公司首席技術(shù)官Justin Rattner宣稱(chēng)，該公司致力于通過(guò)兩種新型設計制造技術(shù)提高晶體管功耗效率，同時(shí)降低計算機主板的功耗。 在日前舉行的2006年DesignCon大會(huì )上，Rattner發(fā)表演講稱(chēng)，兩項技術(shù)其中一項將為CPU以及高速緩存提供專(zhuān)門(mén)的電源，另一項是將調壓器整合到晶體管上以提高效率。 2003年，英特爾開(kāi)始采用90納米制程生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，該公司同時(shí)意識到必須減少增長(cháng)迅速的功耗。Rattner表示，2004年初Presco
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價(jià)格下降基站芯片市場(chǎng)適度增長(cháng)后緊縮
- In-Stat日前發(fā)布報告，預計未來(lái)五年內，基站的半導體元器件市場(chǎng)在經(jīng)歷2005年到2007年適度增長(cháng)后，將出現略微的緊縮?？傮w來(lái)看，雖然未來(lái)幾年手機語(yǔ)音和數據應用的需求十分旺盛，但并未給芯片制造商帶來(lái)更高收入。 In-Stat分析師Allen Nogee表示，基站元器件制造商不斷被強制降低元器件的價(jià)格。同時(shí)，隨著(zhù)每網(wǎng)卡通道數量的增加和整體網(wǎng)絡(luò )架構的縮小，基站密度也在不斷增加。 In-Stat這份報告顯示，基站芯片總銷(xiāo)售額在2007年達到高峰之后，到2010年將下滑到37億美元。并預
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手機射頻芯片市場(chǎng)競爭激烈
- 根據賽迪顧問(wèn)的數據，2004年中國射頻（RF）集成電路的銷(xiāo)售額達到52.6億元，占整個(gè)通信類(lèi)集成電路市場(chǎng)銷(xiāo)售總額的9%，與2003年相比有顯著(zhù)增長(cháng)。射頻集成電路銷(xiāo)售額的快速增長(cháng)主要得益于手機、PHS、無(wú)繩電話(huà)等無(wú)線(xiàn)通信終端類(lèi)整機產(chǎn)品的銷(xiāo)售增長(cháng)，其中貢獻最大的是手機。2004年，中國手機產(chǎn)量達到2.3億部，位居世界第一，與2003年的1.86億部相比，增長(cháng)達到23.7%，同期中國市場(chǎng)共銷(xiāo)售8,000萬(wàn)部手機。作為手機中不可或缺的組成部分
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華爾街半導體與芯片制造正走上升周期
- 跨入2006年，通常持看空觀(guān)點(diǎn)的華爾街分析師終于對半導體和IC制造設備產(chǎn)業(yè)青眼有加。據投資銀行SG Cowen Securities的一份報告，華爾街對2006年半導體產(chǎn)業(yè)的總體資本支出增幅的平均預測已提高至5%，原來(lái)的預測是認為不會(huì )出現增長(cháng)。 SG Cowen在其報告中指出，預期IC產(chǎn)業(yè)在2006年不會(huì )出現支出高潮?？傮w來(lái)看，2006年資本支出將比2005年增長(cháng)6-8%。 在進(jìn)入2006年之際，SG Cowen還在整個(gè)產(chǎn)業(yè)中看到了一些積極跡象，如產(chǎn)能利
- 關(guān)鍵字： 半導體 華爾街 芯片
歐洲數字系統芯片功率泄漏控制項目
- 來(lái)自歐洲7個(gè)國家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動(dòng)一個(gè)旨在通過(guò)解決65nm節點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問(wèn)題來(lái)改進(jìn)下一代系統芯片設計的開(kāi)發(fā)項目。根據IST第六框架計劃的“納電子”戰略目標，歐洲委員會(huì )為這個(gè)名為CLEAN (控制NanoCMOS系統芯片泄漏功率)的項目提供了450萬(wàn)歐元的贊助費。 在線(xiàn)寬大于0.1微米的微電子電路中，與晶體管泄漏電流相比，計算、通信和存儲操作造成的動(dòng)態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此，直到今天，在沒(méi)超過(guò)這個(gè)技術(shù)節點(diǎn)的芯片設計和開(kāi)發(fā)過(guò)程中，泄漏電流控制并
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