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泄漏控制
泄漏控制 文章 進(jìn)入泄漏控制技術(shù)社區
歐洲數字系統芯片功率泄漏控制項目
- 來(lái)自歐洲7個(gè)國家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動(dòng)一個(gè)旨在通過(guò)解決65nm節點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問(wèn)題來(lái)改進(jìn)下一代系統芯片設計的開(kāi)發(fā)項目。根據IST第六框架計劃的“納電子”戰略目標，歐洲委員會(huì )為這個(gè)名為CLEAN (控制NanoCMOS系統芯片泄漏功率)的項目提供了450萬(wàn)歐元的贊助費。 在線(xiàn)寬大于0.1微米的微電子電路中，與晶體管泄漏電流相比，計算、通信和存儲操作造成的動(dòng)態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此，直到今天，在沒(méi)超過(guò)這個(gè)技術(shù)節點(diǎn)的芯片設計和開(kāi)發(fā)過(guò)程中，泄漏電流控制并
- 關(guān)鍵字： 功率 歐洲數字系統 項目 泄漏控制 芯片
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泄漏控制介紹
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