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亞洲美光半導體獲得6000萬(wàn)美元租賃融資

  •   據國外媒體報道,中國信托商銀、遠東國際商銀及臺新銀行已經(jīng)完成一項五年期6000萬(wàn)美元的租賃融資案,資金將做為支持亞洲美光半導體購買(mǎi)動(dòng)態(tài)隨機存儲芯片制造設備。   遠東銀行為貸款擔保品保管行,臺新為文件管理行。安泰銀行及萬(wàn)泰銀行也有參與本案。   貸款將分20期按季平均攤還。   簽約儀式已在2月中舉行。本貸款案是由Equvo HK Ltd擔任借款人,Equvo是一家總部位于新加坡的租賃融資公司。   Micron Semiconductor Asia是美國美光科技獨資設立的子公司。
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美光與爾必達合并震動(dòng)DRAM市場(chǎng) 成抗衡三星新勢力

  •   據IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)研究簡(jiǎn)報,美國美光與日本爾必達如果合并,可能導致DRAM產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生劇烈變化。   目前關(guān)于二者將走向合并的傳言甚囂塵上。如果合并,則所形成的新企業(yè)將在全球DRAM市場(chǎng)排名第二,合計晶圓月產(chǎn)能(WSPM)將達37.4萬(wàn)片。它將占全球DRAM產(chǎn)能的28%,僅次于目前排名第一的的韓國三星電子。目前三星的晶圓月產(chǎn)能是43.3萬(wàn)片,占全球產(chǎn)能的33%,如圖所示。爾必達和美光的各自排名通常是第三和第四。   DRAM版圖重新劃分之后,韓國海力士半導體的排名將從目前的
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美光發(fā)布全新DDR3Lm內存 主打低功耗

  •   美光本周三發(fā)布了全新低功耗DDR3內存解決方案--DDR3Lm,主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動(dòng)市場(chǎng)。首批產(chǎn)品包括2Gb、4Gb兩種規格,宣稱(chēng)可為移動(dòng)產(chǎn)品帶來(lái)更長(cháng)續航時(shí)間的同時(shí),依然擁有不俗的性能和較高的性?xún)r(jià)比。   首先是2Gb DDR3Lm,相比標準2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片,其功耗可以降低50%左右,最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗,待機狀態(tài)下功耗只有3.7mA IDD6,最高頻率可達1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝,以進(jìn)一步優(yōu)
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美光新總裁稱(chēng)內存價(jià)格或已見(jiàn)底

  •   雖然內存價(jià)格暴跌已經(jīng)導致該行業(yè)四大企業(yè)中的三家出現虧損,但美光科技總裁馬克·亞當斯(Mark Adams)周五表示,電腦內存價(jià)格很可能已經(jīng)見(jiàn)底。作為全美唯一一家DRAM存儲芯片廠(chǎng)商,美光科技去年12月發(fā)布的業(yè)績(jì)顯示,由于PC需求放緩導致產(chǎn)品價(jià)格下跌,該公司已經(jīng)連續第二季度虧損?!拔也徽J為DRAM市場(chǎng)還會(huì )繼續下行,現在感覺(jué)已經(jīng)穩定?!眮啴斔拐f(shuō)。   各大存儲芯片廠(chǎng)商都在努力平衡電腦內存的供需關(guān)系,在這一行業(yè)中,建設工廠(chǎng)需要花費數年時(shí)間,因此很難輕易關(guān)閉。但該行業(yè)卻
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傳美光砸150億入股爾必達

  •   美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺幣150億元)入股爾必達(Elpida),最快2月定案,成為此波DRAM市況不振下,首樁業(yè)界整合案例。美光、爾必達分別是南科、華亞科,以及力晶、瑞晶合作伙伴,兩強整并有助臺廠(chǎng)迎向新契機。   據了解,爾必達將于4月面臨高達12億美元(約新臺幣360億元)償債壓力,為了取得銀行團的支持,已正式向債權銀行提出與美光等DRAM廠(chǎng)合作的復蘇計劃,但美光與爾必達都不愿證實(shí)雙方將簽訂合作備忘錄。   法人指出,美光、爾必達在全球DRAM產(chǎn)業(yè)地位僅次于韓國三星、海
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美光科技連續第二財季虧損

  •   北京時(shí)間12月22日早間消息,美國第一大電腦存儲芯片廠(chǎng)商美光科技周三發(fā)布公告稱(chēng),由于PC需求疲軟導致存儲芯片價(jià)格下滑,該公司連續第二財季虧損。   在截至12月1日的第一財季內,美光科技凈虧損1.87億美元,折合每股虧損0.19美元,去年同期實(shí)現凈利潤1.55億美元,折合每股收益0.15美元;實(shí)現營(yíng)業(yè)收入20.9億美元,同比下滑7.2%。分析師此前平均預計該公司每股虧損0.08美元,營(yíng)業(yè)收入為21.2億美元。   美國投資公司Raymond James & Associates分析師漢斯&
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美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

  •   美光科技今天表示,正在與標準化組織JEDEC合作,爭取制定3D內存堆疊封裝技術(shù)的標準化,并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術(shù)。美光將此標準提案稱(chēng)為“3DS”,也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。   美光計劃使用特殊設計的主從DRAM芯片(die),其中只有主die才與外界內存控制器發(fā)生聯(lián)系,從die只是輔助芯片,同時(shí)還會(huì )用上優(yōu)化的DRAM die、每堆棧單個(gè)DLL、減少主動(dòng)邏輯電路、共享的單個(gè)外部I/O
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。   美光將會(huì )開(kāi)始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì )在IBM位于紐約的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)。   IBM將會(huì )在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會(huì )議上展示它的TSV制程技術(shù)。   對于美光而言,混合式記憶體立方(HMC)
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美光:泰國水災刺激固態(tài)硬盤(pán)需求

  •   美光公司今天表示,泰國水災過(guò)后固態(tài)硬盤(pán)的需求大增。自今年夏末以來(lái),傳統硬盤(pán)的價(jià)格一直在穩步上揚,因為全球70%左右的硬盤(pán)相關(guān)產(chǎn)品供應來(lái)自泰國,而泰國洪水造成了硬盤(pán)供應的短缺。最近惠普CEO梅格·惠特曼(Meg Whitman)就曾表示,該公司大客戶(hù)近期受到了硬盤(pán)缺貨的困擾。   美光表示,固態(tài)硬盤(pán)的訂購量也在上升。該公司NAND解決方案集團市場(chǎng)總監凱文·基爾巴克(Kevin Kilbuck)表示,現在硬盤(pán)供應減少,而固態(tài)硬盤(pán)可以填補這一供應缺口。他指的是PC的傳統硬盤(pán)插槽
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。   美光將會(huì )開(kāi)始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì )在IBM位于紐約的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)。   IBM將會(huì )在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE 國際電子裝置會(huì )議上展示它的TSV制程技術(shù)。   對于美光而言,混合式記憶體立方
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蘭巴斯告美光操縱DRAM價(jià)導致其股價(jià)暴跌

  •   蘭巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)與海力士(Hynix)共謀阻止其記憶芯片成為業(yè)界標準的官司失利,16日股價(jià)一度暴跌78%。   蘭巴斯指稱(chēng)美光科技與南韓海力士公司違反加州反托辣斯法,串通操縱DRAM價(jià)格,但舊金山的加州高等法院法官16日以九票對三票駁回這項指控。   蘭巴斯16日午盤(pán)股價(jià)最多暴跌14.04美元,以每股4美元成交,跌幅高達78%,收盤(pán)時(shí)回升到7.11美元,但跌幅仍達60.6%。美光股票則飆升23.4%,以6.74美元收盤(pán);海力士股價(jià)17日在首爾股市則漲3.8%,收每
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繼續提升 美光發(fā)布單條64GB低壓服務(wù)器內存

  •   單條64GB的內存看來(lái)也要“普及”了——不過(guò)首先當然是用在服務(wù)器上。11月3日,美光科技正式宣布更新旗下LRDIMM內存產(chǎn)品線(xiàn),首次推出單條容量高達64GB的產(chǎn)品,面向云計算、HPC、Web服務(wù)器,數據中心等對高性能、高容量有要求的領(lǐng)域。   美光的新LRDIMM服務(wù)器產(chǎn)品線(xiàn)除64GB外還提供8GB、16GB、32GB等檔次不同的型號,默認頻率1333MHz,時(shí)序為CL=9,電壓為符合DDR3L標準的1.35V。   美光LRDIMM產(chǎn)品中8GB、1
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美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內存

  •   之前我們曾經(jīng)提到過(guò)美光開(kāi)發(fā)的“夾心餅干”內存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube),該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開(kāi)發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日,美光宣布將和存儲芯片業(yè)界龍頭韓國三星電子一起研發(fā)HMC這種新的內存架構,目標是盡快使其實(shí)用化,進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)階段。  
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美光RLDRAM 3打入阿爾卡特朗訊供應鏈

  •   美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron) 5月底才宣布,第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開(kāi)始送樣,預計2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn),日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應鏈,阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲 RLDRAM 3存儲器芯片,支持業(yè)界第1個(gè)400 Gb芯片組?!?/li>
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美光和IV簽署IP授權合約

  •   美系存儲器大廠(chǎng)美光科技(Micron)和高智發(fā)明(Intellectual Ventures;IV)宣布雙方已簽署智能財產(chǎn)授權合約,未來(lái)美光可取得高智發(fā)明旗下所擁有高達3萬(wàn)多種的智能專(zhuān)利組合(IP)的使用權,高智發(fā)明也可向美光取得專(zhuān)利權,擴展智能財產(chǎn)權組合。   高智發(fā)明創(chuàng )立于2000年,集結頂尖的發(fā)明家與開(kāi)創(chuàng )型的先驅公司合伙,并在發(fā)明的過(guò)程中,投入專(zhuān)業(yè)知識與資金,公司成立的使命是推動(dòng)「發(fā)明型經(jīng)濟」(invention economy),促進(jìn)全球各地的各項產(chǎn)品創(chuàng )新。   高智發(fā)明表示,將持續與所有
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美光介紹

 美光科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)美光科技)是全球最大的半導體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一,其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應用于移動(dòng)、計算機、服務(wù)、汽車(chē)、網(wǎng)絡(luò )、安防、工業(yè)、消費類(lèi)以及醫療等領(lǐng)域,為客戶(hù)在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。   美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級半導體解決方案的全球領(lǐng)先供應商之 [ 查看詳細 ]

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