美光發(fā)布全新DDR3Lm內存 主打低功耗

　　美光本周三發(fā)布了全新低功耗DDR3內存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動(dòng)市場(chǎng)。首批產(chǎn)品包括2Gb、4Gb兩種規格，宣稱(chēng)可為移動(dòng)產(chǎn)品帶來(lái)更長(cháng)續航時(shí)間的同時(shí)，依然擁有不俗的性能和較高的性?xún)r(jià)比。

　　首先是2Gb DDR3Lm，相比標準2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機狀態(tài)下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進(jìn)一步優(yōu)化功耗以及性能，非常適合于超輕薄筆記本電腦及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品。

　　美光DRAM市場(chǎng)部副總裁Robert Feurle表示，對于目前快速發(fā)展超輕薄移動(dòng)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，低功耗的作用尤為凸顯。而美光在傳統PC內存上已經(jīng)積累了很多經(jīng)驗，這些都為消費者提供了高性能 以及高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品。而正是我們向消費者提供的承諾以及在內存技術(shù)擁有的領(lǐng)先地位帶來(lái)了這款成功的30nm工藝產(chǎn)品。

　　目前，美光已經(jīng)拿出了DDR3Lm內存的樣品，預計會(huì )在2012年第2季度大規模量產(chǎn)，而Intel也已經(jīng)準備對此產(chǎn)品提供支持，并將會(huì )鼓勵其合作伙伴在基于A(yíng)tom的平板點(diǎn)電腦和超輕薄本上使用DDR3Lm內存。

　　負責Intel內存管理經(jīng)理Geof Findley也表示，目前的計算越來(lái)越移動(dòng)化，低功耗和更長(cháng)的續航時(shí)間對于用戶(hù)來(lái)說(shuō)也越來(lái)越有價(jià)值，而這也是未來(lái)內存的正確方向。