安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門(mén)極驅動(dòng)器將在歐洲PCIM 2019推出

2019年4月30日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開(kāi)始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì )推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門(mén)極驅動(dòng)器。

AFGHL50T65SQDC采用最新的場(chǎng)截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無(wú)橋功率因數校正(PFC)和逆變器。

該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管共同封裝，從而在硅基方案的較低性能和完全基于SiC方案的較高成本之間提供出色的權衡。該高性能器件額定工作電壓650 V，能夠處理高達100 A@25 °C (50 A@100 °C)的連續電流，以及高達200 A的脈沖電流。對于需要更大電流能力的系統，正溫度系數令并行工作更簡(jiǎn)便。

現代電動(dòng)汽車(chē)的應用不僅利用能源行駛，在某些情況下還儲存能量，以便在高峰時(shí)期為家庭供電。這需要一個(gè)雙向充電器，必須有高的開(kāi)關(guān)效率，以確保轉換時(shí)不浪費能量。在這種情況下，集成外部SiC二極管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因為沒(méi)有相關(guān)的正向或反向恢復損耗。

AFGHL50T65SQDC可在高達175 °C的結溫下工作，適用于包括汽車(chē)在內的最嚴苛的電源應用。它完全符合AEC-Q 101認證，進(jìn)一步證明其適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV) 車(chē)載充電機。

除了新的混合IGBT，安森美半導體還將在PCIM推出并展示一系列新的隔離型大電流IGBT驅動(dòng)器。NCD(V)57000系列針對多種電源應用，包括太陽(yáng)能逆變器、電機驅動(dòng)、不間斷電源系統(UPS)和汽車(chē)應用如動(dòng)力總成和PTC加熱器。

NCD(V)57000系列是大電流單通道IGBT驅動(dòng)器，內置伽伐尼安全隔離設計，以在要求高可靠性的電源應用中提供高能效工作。該器件具有輸入互補、漏極開(kāi)路故障和輸出準備就緒、有源米勒鉗位、精確欠壓鎖定(UVLO)、軟關(guān)斷去飽和(DESAT)保護、負門(mén)極電壓引腳和單獨的高、低驅動(dòng)輸出等特點(diǎn)，為系統設計提供靈活性。

該器件的伽伐尼隔離額定值大于5 kVrms，滿(mǎn)足UL 1577的要求，工作電壓高于1200 V，保證8 mm爬電距離(輸入>輸出)以滿(mǎn)足強化的安全隔離要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驅動(dòng)電流和7.1 A汲電流能力，是某些競爭器件的三倍多。更重要的是，它們還具有在米勒平坦區工作時(shí)更大的電流能力，同時(shí)結合其先進(jìn)的保護特性，使它們成為同類(lèi)最佳的IGBT驅動(dòng)器。