安森美半導體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統級性能的IGBT，擴充產(chǎn)品陣容

推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充高性能絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應用于消費類(lèi)電器及工業(yè)應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開(kāi)關(guān)特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。



安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“電器的使用數量持續增多，使不斷增長(cháng)的工業(yè)及消費市場(chǎng)的總能耗穩步上升。安森美半導體持續開(kāi)發(fā)薄晶圓工藝及植入技術(shù)，能夠顯著(zhù)提升IGBT性能，而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”

公司推出的FSII IGBT首組產(chǎn)品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；這些器件優(yōu)化了開(kāi)關(guān)性能并降低了導電損耗，用于采用15千赫茲(kHz)到30 kHz的中等頻率工作的電磁加熱和軟開(kāi)關(guān)應用。器件在大電流時(shí)提供極佳的強固性和優(yōu)異的導通狀態(tài)特性，根據系統要求經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以提供更高能效及降低系統損耗。這些高速I(mǎi)GBT提供領(lǐng)先業(yè)界的系統級性能，用于電磁加熱產(chǎn)品，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。這系列器件提供1,200伏(V)及1,350 V平臺版本，額定電流涵蓋20安培(A)、30 A及40  A。

安森美半導體的FSII IGBT技術(shù)進(jìn)一步擴充，新產(chǎn)品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專(zhuān)門(mén)設計用于太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源系統(UPS)及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結點(diǎn)工作溫度范圍達-55到+175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100 A。

安森美半導體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實(shí)力悠久，其中通過(guò)汽車(chē)行業(yè)AEC-Q認證的IGBT量產(chǎn)已經(jīng)超過(guò)十年。2011年，公司開(kāi)始開(kāi)發(fā)新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長(cháng)、持續需求高能效方案的工業(yè)及消費類(lèi)市場(chǎng)。安森美半導體采用專(zhuān)有溝槽場(chǎng)截止型IGBT技術(shù)的首個(gè)完整產(chǎn)品系列于2012年發(fā)布，媲美互相競爭的技術(shù)。此次發(fā)布的最新FSII IGBT技術(shù)使安森美半導體居市場(chǎng)領(lǐng)先地位。