第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區

英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤(pán)的高數據容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個(gè)儲存單元3比特。這個(gè)存儲密度高于目前標準的每個(gè)存儲單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現高容量的優(yōu)盤(pán)。　　美光NAND閃存營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Kevin Kilbuck說(shuō)，雖然在一個(gè)存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒(méi)有基于更標準的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤(pán)。優(yōu)盤(pán)沒(méi)有要求固態(tài)硬盤(pán)的那種數據存儲可靠性。固
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臺灣媒體：奇夢(mèng)達資產(chǎn)拍賣(mài) 大陸撿便宜

　　曾經(jīng)是歐洲最大內存廠(chǎng)的奇夢(mèng)達進(jìn)入資產(chǎn)拍賣(mài)階段，而此舉剛好給了大陸切入內存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機!浪潮集團將于8月中收購奇夢(mèng)達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見(jiàn)在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。　　德國內存龍頭廠(chǎng)奇夢(mèng)達確定遭到市場(chǎng)淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣(mài)階段。目前奇夢(mèng)達的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠(chǎng)，以及大陸、葡萄牙、馬來(lái)西亞的后段封測廠(chǎng)。至于奇夢(mèng)達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內存后
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日本半導體和液晶生產(chǎn)復蘇廠(chǎng)家暑期加班應對

　　據日本媒體報道，日本近期半導體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠(chǎng)家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數碼家電銷(xiāo)量增長(cháng)等因素，市場(chǎng)需求得到恢復，庫存調整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績(jì)有望得到好轉，也可能為日本國內經(jīng)濟帶來(lái)一股活力。　　在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠(chǎng)的液晶面板生產(chǎn)線(xiàn)暑期照常開(kāi)工。該工廠(chǎng)從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠(chǎng)也將于10月起按預定計劃開(kāi)工。　　東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
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東芝大砍6成芯片支出轉加強電力及基礎建設

　　8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(cháng)將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎建設業(yè)務(wù)的獲利，將達電子產(chǎn)品部的2倍。　　東芝的半導體部門(mén)已連續3季出現營(yíng)業(yè)虧損，使其減緩該部門(mén)支出，并在其它領(lǐng)域尋求固定營(yíng)收來(lái)源，例如健康醫療及水處理等。　　東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門(mén)于2012年3月底結束的會(huì )計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì )基礎建設業(yè)務(wù)獲利則可達2000億
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半導體產(chǎn)業(yè)既樂(lè )觀(guān)又擔憂(yōu)的7個(gè)理由

　　盡管最近市場(chǎng)調研公司VLSI仍不修正半導體業(yè)陰沉的預測，即09年全球設備市場(chǎng)下降44.2%及半導體市場(chǎng)下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂(lè )觀(guān)。　　根據與Hutcheson的對話(huà)及公司的最新報告，以下將結論刊出，共有4個(gè)正面意見(jiàn)及2個(gè)負面看法。以下是為什么分析師呈現樂(lè )觀(guān)或者擔心的原因。　　1. 看到回升　　7月的周報IC銷(xiāo)售額上升到33億美元，打破了三周來(lái)IC銷(xiāo)售額的陰沉局面，因為通常7月是典型的弱月份，所以這條消息具正面意見(jiàn)。依周與周的比較，IC銷(xiāo)
關(guān)鍵字： Cisco 通訊太陽(yáng)能 NAND

第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%

　　在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應及新興市場(chǎng)庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收都較上一季成長(cháng)，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠(chǎng)商整體營(yíng)收為27億8千6百萬(wàn)美元，較上一季的20億8千6百萬(wàn)美元成長(cháng)33.6%QoQ。　　就2009年第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排行來(lái)看，Samsung營(yíng)收為10億3千7
關(guān)鍵字： Micron NAND

東芝閃存工廠(chǎng)遭雷擊出貨量下降價(jià)格上漲10%

　　據臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠(chǎng)遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠(chǎng)房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。　　內存業(yè)者認為，過(guò)去記憶卡價(jià)格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會(huì )調漲終端記憶卡售價(jià)，但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機率則不高。　　業(yè)內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續上漲，記憶卡價(jià)格卻沒(méi)有跟上來(lái)，導致NAND Flas
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三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

　　據國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國國際貿易委員會(huì )提出申訴，稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專(zhuān)利，要求禁止進(jìn)口侵權芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱(chēng)，涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。　　申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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海力士41納米通過(guò)認證　切入蘋(píng)果供應鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠(chǎng)一起「吃蘋(píng)果」! 　　海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤(pán)，導致虧損
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NAND Flash買(mǎi)氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩住陣腳

　　7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠(chǎng)表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場(chǎng)的買(mǎi)氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)則是維持低價(jià)搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì )較第2季成長(cháng)25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。　　根據英鼎
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臺塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

　　臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說(shuō)服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。　　存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
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蘋(píng)果預付5億美元與東芝簽閃存長(cháng)期供貨協(xié)議

　　蘋(píng)果高管近日在財報分析師電話(huà)會(huì )議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長(cháng)期供貨協(xié)議，并向后者預付5億美元貨款。　　這一交易對于東芝而言可謂“及時(shí)雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠(chǎng)商，面臨閃存芯片價(jià)格滑坡和來(lái)自三星電子的激烈競爭等問(wèn)題。　　消息人士表示，5億美元相當于蘋(píng)果一個(gè)季度NAND閃存芯片需求量的價(jià)值。
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英特爾推出業(yè)內首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)

　　英特爾公司已經(jīng)開(kāi)始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。SSD是電腦硬盤(pán)的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來(lái)實(shí)惠。　　多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統硬盤(pán)(
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英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻　三星買(mǎi)氣清淡

　　隨著(zhù)英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價(jià)格策略上，更是上演絕地大反攻計畫(huà)，以超低價(jià)策略搶食三星地盤(pán)。下游廠(chǎng)商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價(jià)差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營(yíng)近期NAND Flash產(chǎn)品詢(xún)問(wèn)度大增，三星在現貨市場(chǎng)活絡(luò )度則降低。　　英特爾
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三星電子增加下半年在半導體業(yè)務(wù)投資

　　電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱(chēng)，預計韓國三星電子下半年在一個(gè)半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。　　該報未指明消息來(lái)源稱(chēng)，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。　　三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動(dòng)上稱(chēng)，三星預計下半年投資“略高于”上半年。　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規模，或是迄今的已投資額。　　ETnews報稱(chēng)，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
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