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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠(chǎng)武漢新芯新建記憶體晶圓廠(chǎng)將從本月底開(kāi)始進(jìn)行建廠(chǎng)工程，目標最快在2018年年初開(kāi)始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開(kāi)始進(jìn)入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
投資10nm/3D NAND 晶圓廠(chǎng)設備支出今年增3.7%
- 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅動(dòng)2016年晶圓廠(chǎng)設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出將增長(cháng)3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長(cháng)13%，達421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠(chǎng)設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠(chǎng)設備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數成
- 關(guān)鍵字： 晶圓 3D NAND
東芝將向NAND投資8600億日元，預計2016財年銷(xiāo)售不到5萬(wàn)億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無(wú)法預測需要多長(cháng)時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開(kāi)了2016年度業(yè)務(wù)計劃說(shuō)明會(huì )，代表執行董事社長(cháng)室町正志在會(huì )上這樣說(shuō)道。 東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說(shuō)明會(huì )前一天，東芝宣布將把醫療器械子公司——東芝醫療系統出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(參閱本站報道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線(xiàn)？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠(chǎng)將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著(zhù)逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 2D
2015年第四季NAND品牌商營(yíng)收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷(xiāo)售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash製程轉進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
2015年第四季NAND廠(chǎng)商營(yíng)收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷(xiāo)售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash制程轉進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
運用材料工程解決半導體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰
- 今年，半導體行業(yè)將迎來(lái)幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結構向3D NAND器件的過(guò)渡將帶來(lái)一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。此外，隨著(zhù)越來(lái)越多支持圖案
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
國內NAND Flash產(chǎn)業(yè)開(kāi)始崛起 主控芯片廠(chǎng)商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導體廠(chǎng)商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰略地位，也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營(yíng)運上中國國產(chǎn)主控芯片廠(chǎng)商除直接銷(xiāo)售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤(pán)解決方案以便直接切入市場(chǎng)應用。主要目標客戶(hù)群多以企業(yè)級存儲、政府機關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰略伙伴為主。產(chǎn)品開(kāi)發(fā)則傾力下個(gè)世代
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì )
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會(huì )，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車(chē)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND
存儲器接連刷新歷史最高紀錄，768Gbit 3D NAND亮相
- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會(huì )議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車(chē)載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內容 豐富?！ 〈鎯ζ鲿?huì )議共有3個(gè)。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì )議共有14項發(fā)表。其中有12項來(lái)自亞洲，日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來(lái)介紹
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
3D NAND技術(shù)謹慎樂(lè )觀(guān) 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來(lái)復蘇。但是，預測隨著(zhù)中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產(chǎn)品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。 DRAM市場(chǎng)2016年供過(guò)于求 近期，我們對于DRAM市場(chǎng)的預測不會(huì )發(fā)生顯著(zhù)變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑，而在
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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