Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/112120.htm隨著(zhù)PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿(mǎn)足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開(kāi)發(fā)出了“可通過(guò)機械實(shí)現、并擁有所有觸點(diǎn)構成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。
為實(shí)現該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐壓、低導通電阻的耗盡型功率MOSFET。
這種DSD法是在以往生產(chǎn)增強型功率MOSFET時(shí)所使用的雙重擴散法中，增加了可選擇性地將雜質(zhì)部分擴散的技術(shù)，且該方法在補償溝道雜質(zhì)濃度的同時(shí)，形成與基板濃度相同的低濃度的淺層。圖1為兩者賽璐珞部分截面構造圖的比較。
如圖2所示，該功率MOSFET在柵極電壓為0且為低導通電阻(Typ.18Ω)時(shí)，可保持良好的導通狀態(tài)，但是一旦在柵極施加微小的附加電壓，即會(huì )呈現出高耐壓(400V以上)的高絕緣性(低漏電流：1μA以下)(如圖3所示)。
這種高耐壓、低導通電阻性能原本為二律背反關(guān)系，故在傳統的增強型功率MOSFET中就已經(jīng)需要高度的技術(shù)水平，因此該性能在耗盡型功率MOSFET中能夠得以實(shí)現可以說(shuō)是具有了劃時(shí)代意義。
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