飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件
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DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開(kāi)關(guān)應用，以及服務(wù)器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/120125.htm為了滿(mǎn)足這一需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出N溝道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計以最大限度地減小傳導損耗和開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率。
FDMS86500L是采用行業(yè)標準5mm x 6mm Power 56封裝的器件，它結合了先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)，顯著(zhù)降低了導通阻抗RDS(ON) (2.5m? @ VGS = 10V, ID=25A)，實(shí)現更低的傳導損耗。
此外，FDMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術(shù)，提供極低的開(kāi)關(guān)損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該器件的低傳導損耗，可為設計人員提供其所需的更高的功率密度。
FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品質(zhì)因數(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿(mǎn)足效率標準和法規的要求。
FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強型體二極管技術(shù)以實(shí)現軟恢復;MSL1穩固封裝設計;經(jīng)過(guò)100% UIL測試，并符合RoHS標準。
FDMS86500L是飛兆半導體新型60V MOSFET產(chǎn)品系列中的首款器件，這些新型 60V MOSFET器件的推出，進(jìn)一步強化公司中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列。飛兆半導體擁有業(yè)界最廣泛的 MOSFET產(chǎn)品系列，向設計人員提供多種技術(shù)選擇，以便為應用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導體充分認識到空間受限的應用場(chǎng)合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求，并且了解客戶(hù)及其所服務(wù)的市場(chǎng)，因而能夠提供具有獨特功能、工藝和封裝創(chuàng )新組合的量身定做解決方案，實(shí)現電子設計差異化。
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