SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿(mǎn)舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會(huì )議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現場(chǎng)做報告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。

SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能見(jiàn)彩虹。險境豈不益堅，不墜青云之志！產(chǎn)業(yè)目前雖然經(jīng)歷了風(fēng)雨，但前景依然向好。預計到2030年半導體產(chǎn)業(yè)會(huì )突破一萬(wàn)億美元。而化合物半導體、第三代半導體是引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動(dòng)力，在新能源汽車(chē)等各種各樣新的應用上的機會(huì )非常大。預祝今天論壇取得重大成功，再次感謝大家參會(huì )?！?/span>

蘇州能訊總裁張乃千就《Extending The Frontiers of GaN RF Technology》做了主題演講。GaN 是 Sub-6GHz 基礎設施的主導技術(shù)；GaN在毫米波、小型蜂窩、射頻領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，GaN是智能手機、6G通信、互聯(lián)網(wǎng)最有希望的候選者之一。能訊通過(guò)強大的IP組合和質(zhì)量保證為營(yíng)銷(xiāo)提供一流的技術(shù)匹配，為 5G 基礎設施、工業(yè)、科學(xué)、醫療等提供創(chuàng )新、一致的產(chǎn)品和解決方案。

廣東芯聚能總裁周曉陽(yáng)分享了《碳化硅助力新能源汽車(chē)發(fā)展》的主題演講。新能源汽車(chē)是 SiC功率器件的主要應用場(chǎng)景，在主驅逆變器、OBC、以及直流充電樁模塊中，SiC MOSFET 有望對 Si IGBT 加速替代。目前功率器件壽命可靠性薄弱點(diǎn)主要是鋁線(xiàn)鍵合工藝，有壓銀燒結可有效提高器件導熱效率，同時(shí)穩定的連接界面也可以實(shí)現更高壽命可靠性。

江南大學(xué)教授敖金平探討了《氮化鎵射頻功率器件的研究與應用》。GaN是可以兼顧功率、耐壓和速度的半導體, 氮化鎵射頻功率放大器是移動(dòng)通信基站（5G和6G）通信時(shí)代的核心器件。已開(kāi)發(fā)出sub-6G，5W和10W的射頻功放器件，計劃在2022年將射頻器件工作頻率提高至28GHz。

中科漢韻董事長(cháng)袁述帶來(lái)了《碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇和挑戰》的主題演講。隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)電壓從400V轉為800V，汽車(chē)制造商對SiC MOSFET的需求將增加，而進(jìn)口SiC MOSFET供不應求且價(jià)格昂貴。SiC MOSFET可靠性和穩定性最終都是與接口狀態(tài)和近界面氧化物電荷結構設計、工藝設計和過(guò)程控制至關(guān)重要。本次演講介紹了SiC MOSFETs的應用、市場(chǎng)機會(huì )和市場(chǎng)挑戰。

百識電子總經(jīng)理宣融探討了《碳化硅外延與晶圓制造技術(shù)》。他指出，碳化硅是國內功率器件重要的起飛賽道，主要應用于新能源汽車(chē)/光伏逆變器芯片等等 。量產(chǎn)制造是碳化硅芯片加速滲透應用市場(chǎng)的重要關(guān)鍵，碳化硅外延片的厚度、濃度缺陷將直接影響到芯片的良率穩定性。本次演講介紹了碳化硅應用前景、供應鏈現況、外延片量產(chǎn)工藝與芯片良率，為碳化硅芯片國產(chǎn)化盡份心力。

常州臻晶董事長(cháng)陸敏深入剖析了《液相法碳化硅長(cháng)晶技術(shù)》。液相法是碳化硅長(cháng)晶三大技術(shù)之一，比起PVT和HTCVD，液相法具有擴徑容易、Al摻雜容易、長(cháng)晶速度大、良率高的優(yōu)勢。液相法在中國、日本、韓國均有不同程度的進(jìn)展，陸博士分析認為液相法的產(chǎn)業(yè)化將對行業(yè)帶來(lái)的諸多鉅惠沖擊。

博世中國區汽車(chē)電?戰略部負責?Sebastian Mueller分享了《博世半導體賦能汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展》。由SiC制成的微芯片以較低的損耗切換高電流，從而為電子移動(dòng)性提供更多優(yōu)勢。SiC可用于NEV逆變器、OBC、DC/DC和充電樁，并為未來(lái)的800V NEV系統趨勢帶來(lái)比當前主流400V系統更多的優(yōu)勢。博世SiC的核心優(yōu)勢在于：汽車(chē)級可靠性、內部6英寸和8英寸制造廠(chǎng)生產(chǎn)、核心IP及專(zhuān)有技術(shù)。

青島四方思銳智能銷(xiāo)售總監葉惟解析了《ALD在功率化合物半導體領(lǐng)域的技術(shù)新突破》。與大多數功率及化合物半導體器件相關(guān)的核心挑戰，皆與表面缺陷和高質(zhì)量共形電介質(zhì)柵極以及表面鈍化層的沉積有關(guān)。原子層沉積（ALD）工藝由于沉積膜的致密、共形和無(wú)針孔特性，在解決此類(lèi)制造挑戰方面具有獨特的優(yōu)勢，從而ALD技術(shù)廣泛應用于功率及化合物半導體制造。

Thermo Fisher Scientific市場(chǎng)及業(yè)務(wù)拓展資深經(jīng)理曹瀟瀟在《利用電學(xué)及物性分析對SiC及GaN器件的性能及良率提升》的演講中提出，“摩爾定律”技術(shù)通常要求更高的功率效率操作頻率和更嚴格的設備環(huán)境，這對傳統的硅基技術(shù)提出了越來(lái)越大的挑戰。消除或減少外延生長(cháng)期間的晶體缺陷是提高器件產(chǎn)率和可靠性的關(guān)鍵。

應用材料ICAPS副總裁兼總經(jīng)理原錚就《PPACt賦能下一代功率電子》發(fā)表演講。作為材料工程解決方案的領(lǐng)導者，應用材料公司領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品組合能夠幫助客戶(hù)加速推進(jìn)‘新戰略’，提高芯片的功率（Power）、性能（Performance），降低面積成本（Area-Cost）和上市時(shí)間（Time-to-market），即：業(yè)內經(jīng)常會(huì )提到的PPACt，以釋放物聯(lián)網(wǎng)、大數據和人工智能的潛力。

宜普電源轉換公司胡琛圍繞《氮化鎵（GaN）集成電路可以實(shí)現更高的功率和更快的速度 — 探討GaN集成電路的進(jìn)程和路線(xiàn)圖》展開(kāi)演講。本次演講介紹了eGaN?FET Plus 驅動(dòng)器的集成，eGaN功率級集成等。GaN集成的優(yōu)勢在于可以提高效率，降低EMI，降低組件數，縮短設計時(shí)間以及降低成本等。

北方華創(chuàng )副總裁兼CVD事業(yè)部總經(jīng)理董博宇通過(guò)探討《碳化硅產(chǎn)業(yè)裝備解決方案》提出，SiC器件的優(yōu)勢主要體現在高功率、高壓、高頻、高溫等應用領(lǐng)域，其在新能源、汽車(chē)電子、軌道交通、智能制造等方面具有重要意義。北方華創(chuàng )具備6寸4H-N型與4寸4H高純半絕緣型SiC晶體生長(cháng)工藝，晶體參數滿(mǎn)足行業(yè)標準。北方華創(chuàng )在GaN裝備領(lǐng)域布局廣泛，各個(gè)裝備在國內主流生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現規模應用，可以為客戶(hù)提供全面的GaN產(chǎn)品解決方案。

中電科十三所的孫聶楓教授帶來(lái)了《InP產(chǎn)業(yè)的新趨勢和發(fā)展》的演講。InP是一種戰略性化合物半導體材料，是微電子領(lǐng)域100GHz以上頻段的首選材料，同時(shí)也是激光器及光電集成電路等不可替代的核心材料。合成的工藝性強、難度大是InP材料價(jià)格居高不下的主要原因之一。中電科十三所自主研制了國際最大口徑多功能高壓?jiǎn)尉t，開(kāi)創(chuàng )了雙管注入合成技術(shù)，實(shí)現了國際上合成速度最快、合成量最大、純度最高的InP多晶。

AIXTRON中國區副總經(jīng)理方子文就《化合物半導體外延量產(chǎn)技術(shù)》展開(kāi)討論。寬帶隙滲透加速的實(shí)現，以及汽車(chē)電氣化和電動(dòng)汽車(chē)對碳化硅的需求，使氮化鎵和碳化硅的市場(chǎng)增長(cháng)正在持續發(fā)生，AIXTRON間歇式反應器技術(shù)，可以滿(mǎn)足所有傳統和新的生產(chǎn)提升要求，以強大的提升能力滿(mǎn)足未來(lái)幾年的市場(chǎng)需求。

KLA Corporation產(chǎn)品應用經(jīng)理蔡曉林就《提高汽車(chē)芯片的可靠性》展開(kāi)論述。半導體器件已成為當今汽車(chē)市場(chǎng)的關(guān)鍵部件。對于車(chē)輛的安全性和功能性而言，芯片的可靠性至關(guān)重要。零缺陷和擁有比汽車(chē)更持久的使用壽命，成為了汽車(chē)芯片必須突破的關(guān)卡。

天岳先進(jìn)營(yíng)銷(xiāo)總監李宛曈闡述了《寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)現狀與未來(lái)展望》。以碳化硅為代表的新一代寬禁帶半導體材料具有耐高溫、抗高壓、開(kāi)關(guān)速度快、效率高、節能、壽命長(cháng)等特點(diǎn)，近年來(lái)其發(fā)展開(kāi)始受到重視，國內外相關(guān)企業(yè)紛紛投入到寬禁帶半導體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化中。本次演講通過(guò)材料特性、應用領(lǐng)域、市場(chǎng)容量、未來(lái)展望四個(gè)方面，詳細分析了寬禁帶半導體材料的發(fā)展現狀與未來(lái)前景。

SPTS Technologies技術(shù)支持經(jīng)理陳怡駿圍繞《功率應用中SiC器件的等離子體蝕刻和沉積工藝》發(fā)表演講。電壓范圍650V（電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器）到幾千伏（軌道和風(fēng)力渦輪機）。預計到2027年，電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅將達到50億美元。隨著(zhù)對高壓操作設備的不斷增長(cháng)的需求，特別是電動(dòng)汽車(chē)的增長(cháng)，已經(jīng)導致越來(lái)越多的SiC和GaN基功率設備的采用。盡管來(lái)自硅基功率器件的持續競爭，但高效率、耐惡劣環(huán)境和快速開(kāi)關(guān)時(shí)間使SiC MOSFET成為電力牽引的理想選擇。

Axcelis Technologies產(chǎn)品應用總監趙洪辰在《通過(guò)創(chuàng )新的離子注入解決方案助力功率和化合物半導體器件大規模量產(chǎn)》的演講中提到，隨著(zhù)強勁的需求推動(dòng)制造量的增加，SiC器件的制造最終過(guò)渡到真正的大批量制造（類(lèi)似于80年代至90年代的Si過(guò)渡）。Axcelis為解決傳統瓶頸而推出的新型高生產(chǎn)率工具組合（尤其是大電流和高能注入機）有助于實(shí)現SiC生產(chǎn)向真正的大批量生產(chǎn)的轉變。

安徽芯塔電子的應用技術(shù)總監李冬黎分析了《國產(chǎn)碳化硅功率器件和產(chǎn)業(yè)鏈在新能源時(shí)代下的機遇》。在全球石化能源危機，及碳達峰與碳中和的雙碳戰略下，新型高功率、高效率和高頻率功率器件迎來(lái)巨大的市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)使命，以碳化硅為代表的第三代半導體功率器件在新能源發(fā)電、儲能和新能源汽車(chē)等新興領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)越來(lái)越重要的作用。