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意法半導體（st）
意法半導體（st） 文章 進(jìn)入意法半導體（st）技術(shù)社區
意法半導體第二代多區飛行時(shí)間傳感器性能升級
- 服務(wù)橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出最新的FlightSense飛行時(shí)間（ToF）測距傳感器，適用于智能型手機鏡頭管理和擴增實(shí)境和虛擬現實(shí)裝置。透過(guò)大幅提升關(guān)鍵組件的性能，意法半導體最新ToF模塊的測距性能相較上一代產(chǎn)品提升一倍，室內全區模式測距長(cháng)達4公尺，在相同條件下，功耗比上一代產(chǎn)品降低了一半。意法半導體執行副總裁暨模擬、MEMS和傳感器事業(yè)群之影像子事業(yè)部總經(jīng)理Eric Aussedat表示，ST的ToF技術(shù)在商用領(lǐng)域獲得了傲人的
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意法半導體新慣性傳感器模塊可實(shí)現在傳感器內訓練AI
- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出了內置智能傳感器處理單元 (ISPU) 的新慣性傳感器，推動(dòng)onlife （一直在線(xiàn)）生活時(shí)代的到來(lái)，人們與經(jīng)過(guò)訓練的智能設備互動(dòng)，智能技術(shù)從網(wǎng)絡(luò )邊緣移向深度邊緣設備。 ISM330ISN常開(kāi) (always-on) 6 軸慣性測量單元 (IMU)傳感器內部嵌入智能技術(shù)，就尺寸和功耗而言，其測量性能和精準度堪稱(chēng)業(yè)界一流。意法半導
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意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節能降噪特性
- 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現卓越的品質(zhì)因數。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位
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意法半導體推出即用型安全汽車(chē)進(jìn)入車(chē)載系統芯片解決方案，符合車(chē)聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟數字車(chē)鑰匙標準3.0版
- v 整合基于行業(yè)標準認證的 ST33K-A安全芯片的安全單元和Java? Card 平臺，以及 G+D Digital Key? 小程序，為開(kāi)發(fā)安全汽車(chē)進(jìn)入系統提供系統芯片解決方案v 提高用車(chē)便利性和安全性，符合車(chē)聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟 (CCC)最新的數字車(chē)鑰匙標準服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出一個(gè)能夠加快數字車(chē)鑰匙開(kāi)發(fā)的新平臺。有了數字鑰匙，消費者可以通過(guò)移動(dòng)設備，無(wú)需鑰匙也能進(jìn)入汽車(chē)。除了加強安全性
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兩款全新的eDesign Suite NFC/RFID計算器為開(kāi)發(fā)標簽和讀取器賦能
- 意法半導體在 eDesign Suite軟件套件中發(fā)布了兩款新的 NFC/RFID 計算器。eDesignSuite 是一整套易于使用的設計輔助實(shí)用程序，可幫助您使用各種 ST 產(chǎn)品簡(jiǎn)化系統開(kāi)發(fā)流程。UHF Link Budget鏈路預算工具可幫助設計人員確定RFID 讀取器的通信距離。NFC Tuning Circuit 調諧電路讓工程師能夠優(yōu)化基于ST25R3911B 或 ST253916的NFC 讀取器設計。這個(gè)兩個(gè)工具可以提高非接觸式應用開(kāi)發(fā)優(yōu)化工作的可及性，讓企業(yè)、學(xué)生和愛(ài)好者都能參與
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ST最新NFC讀取器加速支付與消費性應用設計
- 服務(wù)橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀寫(xiě)器芯片輸出功率大、效能高，且價(jià)格具有競爭力，并支持NFC啟動(dòng)器、目標設備、讀寫(xiě)器和卡模擬四種模式，應用包括零接觸支付、裝置配對、無(wú)線(xiàn)充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費性應用。新裝置導引彈性更高的主動(dòng)波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調整過(guò)程，便于優(yōu)化過(guò)沖和下沖問(wèn)題。
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意法半導體和Sensory 開(kāi)展合作，通過(guò)STM32Cube 軟件生態(tài)系統賦能大眾市場(chǎng)嵌入式聲控技術(shù)應用
- 務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)，與世界排名前列的嵌入式語(yǔ)音識別技術(shù)供應商、意法半導體授權合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一項合作協(xié)議，賦能STM32 微控制器 (MCU)用戶(hù)社區為各種智能嵌入式產(chǎn)品開(kāi)發(fā)直觀(guān)的語(yǔ)音識別用戶(hù)界面及產(chǎn)品原型。該合作項目整合了意法半導體STM32軟硬件和Sensory的語(yǔ)音控制技術(shù)。其中新的VoiceHub 在線(xiàn)門(mén)戶(hù)支持使用自定義喚醒詞、語(yǔ)音控制命令集和大型自然語(yǔ)言語(yǔ)法
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Metalenz和意法半導體首創(chuàng )光學(xué)超表面技術(shù)metasurface，瞄準消費電子設備
- 率先實(shí)現元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體( (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開(kāi)發(fā)的元鏡現已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場(chǎng)。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的科研成果，可以替代現有的結構復雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導體新NFC讀取器加快支付和消費應用設計
- 意法半導體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價(jià)格具有競爭力，支持 NFC 發(fā)起設備、目標設備、讀取和卡模擬四種模式，目標應用包括非接支付、設備配對、無(wú)線(xiàn)充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費類(lèi)應用。新器件引入了靈活性更高的主動(dòng)波形整形 (AWS)改進(jìn)技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調整過(guò)程，方便優(yōu)化過(guò)沖和下沖問(wèn)題。射頻調整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設置，然后再用示波器進(jìn)行快速驗證。這項技術(shù)簡(jiǎn)化了EMVCo 3.1a和
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意法半導體推出首款集成在一個(gè)封裝中的硅基驅動(dòng)器和GaN晶體管
- 瑞士意法半導體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅動(dòng)芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開(kāi)發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應用?！ ∫夥ò雽w（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并確保了預期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡(jiǎn)單、電路組件更少、系統可靠性更高。據估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
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巨頭搶灘第三代半導體
- 長(cháng)期以來(lái)，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠(chǎng)商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著(zhù)5G、新能源汽車(chē)等一系列技術(shù)迭代和市場(chǎng)需求推動(dòng)之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續了一年的第三代半導體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠(chǎng)計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠(chǎng)。雖然在目前階段來(lái)看，碳化硅的應用和技術(shù)發(fā)展
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意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數據中心半導體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績(jì)，意法半導體與MACOM將繼續合作，并加強雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來(lái)巨大的發(fā)展潛力。早期世代的射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型
- 5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長(cháng)期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)主導了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著(zhù)更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC可能會(huì )更昂貴。目前，意法半導體和
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意法半導體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術(shù)1
- 合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結果，工藝技術(shù)將會(huì )從Leti的200mm研發(fā)線(xiàn)轉到意法半導體的200mm晶圓試產(chǎn)線(xiàn)，2020年前投入運營(yíng)中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能
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意法半導體（st）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條意法半導體（st）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對意法半導體（st）的理解，并與今后在此搜索意法半導體（st）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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