意法半導體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術(shù)1

• 合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產(chǎn)

  本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202206/435157.htm

• 利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結果，工藝技術(shù)將會(huì )從Leti的200mm研發(fā)線(xiàn)轉到意法半導體的200mm晶圓試產(chǎn)線(xiàn)，2020年前投入運營(yíng)

中國 / 24 Sep 2018

橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能夠滿(mǎn)足高能效、高功率的應用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、無(wú)線(xiàn)充電和服務(wù)器。

本合作項目的重點(diǎn)是開(kāi)發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場(chǎng)將在2019年至2024[1]年有超過(guò)20％的復合年增長(cháng)率。意法半導體和Leti利用IRT納電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線(xiàn)上開(kāi)發(fā)工藝技術(shù)，預計在2019年完成工程樣品的驗證。同時(shí)，意法半導體還將建立一條高品質(zhì)生產(chǎn)線(xiàn)，包括GaN / 硅異質(zhì)外延工序，計劃2020年前在法國圖爾前工序晶圓廠(chǎng)進(jìn)行首次生產(chǎn)。

此外，鑒于硅基氮化鎵技術(shù)對功率產(chǎn)品的吸引力，Leti和意法半導體正在評測高密度電源模塊所需的先進(jìn)封裝技術(shù)。

意法半導體汽車(chē)與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示：“在認識到寬帶隙半導體令人難以置信的價(jià)值后，意法半導體與CEA-Leti開(kāi)始合作研發(fā)硅基氮化鎵功率器件制造和封裝技術(shù)。ST擁有經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗的生產(chǎn)可靠的高質(zhì)量產(chǎn)品的制造能力，此次合作之后，我們將進(jìn)一步擁有業(yè)界最完整的GaN和SiC產(chǎn)品和功能組合?！?/p>

Leti首席執行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的團隊利用Leti的200mm通用平臺全力支持意法半導體的硅基氮化鎵功率產(chǎn)品的戰略規劃，并準備將該技術(shù)遷移到意法半導體圖爾工廠(chǎng)硅基氮化鎵專(zhuān)用生產(chǎn)線(xiàn)。這個(gè)合作開(kāi)發(fā)項目需要雙方團隊的共同努力，利用IRT納電子研究所的框架計劃來(lái)擴大所需的專(zhuān)業(yè)知識，在設備和系統層面從頭開(kāi)始創(chuàng )新?！?/p>

編者注：
相較于采用硅等傳統半導體材料的器件，更高的工作電壓、頻率和溫度是寬帶隙半導體材料GaN制成的器件的固有優(yōu)勢。除功率氮化鎵技術(shù)外，意法半導體還在開(kāi)發(fā)另外兩種寬帶隙技術(shù)：碳化硅（SiC）和射頻氮化鎵（GaN）。

在GaN領(lǐng)域除了與CEA-Leti合作外，意法半導體不久前還宣布了與MACOM合作開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵技術(shù)，用于MACOM的各種射頻產(chǎn)品和和意法半導體為非電信市場(chǎng)研制的產(chǎn)品。兩個(gè)研發(fā)項目都使用GaN，很容易引起混淆，但是，這兩種研發(fā)項目使用結構不同的方法，應用優(yōu)勢也不同。例如，功率硅基氮化鎵技術(shù)適合在200mm晶片上制造，而射頻硅基氮化鎵目前至少更適合在150mm晶片上制造。無(wú)論哪種方式，因為開(kāi)關(guān)損耗低，GaN技術(shù)都適用于制造更高頻率的產(chǎn)品。

另一方面，碳化硅器件的工作電壓更高，阻斷電壓超過(guò)1700V，雪崩電壓額定值超過(guò)1800V，通態(tài)電阻低，使其非常適用于能效和熱性能出色的產(chǎn)品。憑借這些特性，SiC非常適合電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器和焊接設備等應用。

關(guān)于意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領(lǐng)先的半導體公司，提供與日常生活息息相關(guān)的智能的、高能效的產(chǎn)品及解決方案。意法半導體的產(chǎn)品無(wú)處不在，致力于與客戶(hù)共同努力實(shí)現智能駕駛、智能工廠(chǎng)、智能城市和智能家居，以及下一代移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。享受科技、享受生活，意法半導體主張科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。意法半導體2016年凈收入69.7億美元，在全球擁有10萬(wàn)余客戶(hù)。詳情請瀏覽意法半導體公司網(wǎng)站：www.st.com

關(guān)于Leti (法國)

在讓工業(yè)方案變得更智能、節能和安全的小型化技術(shù)領(lǐng)域，CEA Tech的技術(shù)研究院Leti位居世界領(lǐng)先行列。成立于1967年，Leti是微米和納米技術(shù)的先驅?zhuān)瑸閲H企業(yè)、中小企業(yè)和初創(chuàng )公司提供定制化、差異化的應用方案。Leti探索解決醫療健康、能源和數字化所面臨的重大挑戰。從傳感器到數據處理和計算方案，Leti的多學(xué)科團隊為客戶(hù)提供深厚扎實(shí)的專(zhuān)業(yè)知識和世界一流的試制預產(chǎn)設施。該研究所擁有1,900多名員工，2,700項專(zhuān)利，91,500平方英尺的無(wú)塵室，執行明確的知識產(chǎn)權政策，總部位于法國格勒諾布爾，并在硅谷和東京設有辦事處。 Leti已經(jīng)創(chuàng )辦了60家創(chuàng )業(yè)公司，并且是Carnot Institutes網(wǎng)絡(luò )的成員。

關(guān)注我們：www.leti.fr/en and @CEA_Leti.

CEA Tech是法國新能源和原子能委員會(huì )（CEA）的技術(shù)研究委員會(huì )，是創(chuàng )新型研發(fā)、國防安全、核能、工業(yè)和基礎科學(xué)技術(shù)研究領(lǐng)域的一個(gè)重要參與者，被湯森路透評為為世界第二大創(chuàng )新研究組織。CEA Tech利用其獨有的創(chuàng )新驅動(dòng)型文化和無(wú)與倫比的專(zhuān)業(yè)知識，開(kāi)發(fā)和傳播新的工業(yè)技術(shù)，幫助客戶(hù)研制高端產(chǎn)品，提高市場(chǎng)競爭優(yōu)勢。

關(guān)于納電子技術(shù)研究所（IRT）
Leti旗下的納電子技術(shù)研究所（IRT）的研發(fā)活動(dòng)涉及信息和通信技術(shù)（ICT），特別是微電子和納米電子技術(shù)領(lǐng)域?？偛课挥诜▏窭罩Z布爾，IRT納電子研究所利用該地區經(jīng)過(guò)檢驗的創(chuàng )新生態(tài)系統，開(kāi)發(fā)能夠推動(dòng)未來(lái)納米電子發(fā)展的技術(shù)，推動(dòng)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，為現有技術(shù)開(kāi)發(fā)新的應用（例如，物聯(lián)網(wǎng)）。IRT納電子的研發(fā)活動(dòng)能夠讓世界深入了解3D集成、硅光子學(xué)和功率器件等新興技術(shù)對集成電路的影響。詳情訪(fǎng)問(wèn)www.irtnanoelec.fr。

IRT納電子研究所是法國政府 “Program Investissements d'Avenir”計劃企業(yè)，獲得政府資金支持，備案號為ANR-10-AIRT-05。