意法半導體推出首款集成在一個(gè)封裝中的硅基驅動(dòng)器和GaN晶體管

　　瑞士意法半導體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅動(dòng)芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開(kāi)發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應用。

　　意法半導體（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并確保了預期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡(jiǎn)單、電路組件更少、系統可靠性更高。據估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％。

　　MasterGaN平臺利用STDRIVE 600V柵極驅動(dòng)器和GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）。9mm x 9mm的薄型GQFN封裝可確保高功率密度，專(zhuān)為高壓板和低壓板之間的爬電距離超過(guò)2mm的高壓應用而設計。

　　該系列器件將跨越不同的GaN晶體管尺寸（RDS（ON）），并將以引腳兼容的半橋產(chǎn)品的形式提供，使工程師能夠以最小的硬件更改來(lái)擴展設計。憑借GaN晶體管的低導通損耗和無(wú)體二極管恢復的特性，該產(chǎn)品在高端、高效率拓撲結構中表現了卓越的效率和整體性能增強。

　　意法半導體（ST）推出了具有MasterGaN1的新平臺，該平臺包含兩個(gè)GaN功率晶體管，以半橋形式連接，并集成了高端和低端驅動(dòng)器。具體來(lái)說(shuō)，MasterGaN1包含兩個(gè)常關(guān)晶體管，具有緊密匹配的時(shí)序參數，最大額定電流為10A和150mΩ導通電阻（RDS（ON））。邏輯輸入與3.3V至15V的信號兼容。還內置了全面的保護功能，包括低端和高端UVLO保護、互鎖、專(zhuān)用的停機引腳和過(guò)熱保護。