意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節能降噪特性
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本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202206/435479.htm
意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現卓越的品質(zhì)因數。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節省空間且熱效率高的 PowerFLAT 5x6 封裝。
意法半導體先進(jìn)的STripFET F8 技術(shù)的開(kāi)關(guān)速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動(dòng)態(tài)參數，提高系統能效。設計人員可以在 600kHz 至 1MHz 范圍內選擇開(kāi)關(guān)頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應用的功率密度。
適當的輸出電容和相關(guān)的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現尖峰，并確保在管子關(guān)斷時(shí)突降振蕩時(shí)間更短。 憑借這一點(diǎn)和體二極管的軟恢復特性， STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾 (EMI) 低于市場(chǎng)上其他類(lèi)似器件。此外，體寄生二極管的反向恢復電荷很小，可最大限度地減少硬開(kāi)關(guān)拓撲的能量損耗。
柵極閾壓 (VGS(th))在 STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 中受到嚴格控制，以確保器件之間的閾壓差異很小，以便并聯(lián)多個(gè) MOSFET功率管，處理更大的電流。短路耐受能力也非常出色，可承受高達1000A的電流(脈沖短于10μs)。STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 分別是第一款符合工業(yè)標準和 AEC-Q101汽車(chē)標準的 STPOWER STripFET F8 MOSFET 器件，是電池供電產(chǎn)品和計算、電信、照明和通用功率轉換應用的理想選擇。
STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 現已量產(chǎn)。
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