爾必達文章進(jìn)入爾必達技術(shù)社區

異業(yè)結盟潮起次世代內存再掀熱戰

　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開(kāi)發(fā)新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結盟熱潮，內存業(yè)者預期，未來(lái)ReRAM、3D NAND Flash、相變化內存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內存，將會(huì )有一番激烈競爭。　
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坂本幸雄踩剎車(chē)　瑞晶擴產(chǎn)計劃喊停

　　個(gè)人計算機(PC)需求不振連累DRAM價(jià)格重挫，爾必達(Elpida)社長(cháng)坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標，同時(shí)在臺灣轉投資瑞晶R2廠(chǎng)的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車(chē)。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達內部規劃廣邀PC客戶(hù)入股來(lái)協(xié)助瑞晶擴產(chǎn)，屆時(shí)將依照投資比重來(lái)分配DRAM貨源，但傳出DRAM價(jià)格崩盤(pán)后，PC客戶(hù)早已溜之大吉，瑞晶的擴產(chǎn)計劃只好喊卡，然爾必達廣島廠(chǎng)的擴產(chǎn)進(jìn)度仍將如期進(jìn)行。　　坂本幸雄表示，PC市場(chǎng)在傳統旺季的需求未如預期，將連累爾必達的財報獲利受到影響，但DRAM價(jià)格其實(shí)下修幅度已大
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爾必達將發(fā)行7.3億美元可轉債

　　據國外媒體報道，爾必達計劃面向本地的私人投資者發(fā)行6000億日元(約合7.28億美元)可轉債。　　根據爾必達周五發(fā)布的公告，這一可轉債為5年期，利率0.5%?；I集的資金將用于償還債務(wù)，以及升級半導體制造設備。爾必達是全球第三大計算機存儲芯片廠(chǎng)商，該公司在追趕業(yè)界領(lǐng)頭羊三星電子的過(guò)程中正面臨壓力。后者目前每年支出100億美元來(lái)提升芯片產(chǎn)能。　　周五，爾必達在東京股票交易所的股價(jià)上漲5.2%。不過(guò)在當天早盤(pán)的交易中，爾必達股價(jià)曾一度大跌5.6%。東京新生證券高級分析師松元泰裕指出，這一股價(jià)反轉是由
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爾必達推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

　　最近，內存顆粒的工藝進(jìn)步速度非?？?，最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(cháng)足的進(jìn)步。　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng )下業(yè)界新紀錄。　　據了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實(shí)現1600MHz頻率。同時(shí)，其工作電流相比同廠(chǎng)40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機電流下降10%。　　爾必達聲稱(chēng)該內存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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爾必達擬購買(mǎi)力晶和茂德股份對抗三星

　　爾必達正在考慮收購力晶(Powerchip)和茂德(ProMOS)股份，以抵御三星的競爭，并有望引發(fā)全球半導體行業(yè)近十多年來(lái)最大規模的重組。　　行業(yè)整合　　爾必達總裁阪本幸雄在本周接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，力晶、茂德以及華邦(Winbond)三家中國臺灣的半導體公司都是可能的股權收購目標。他表示，爾必達希望獲得這些企業(yè)20%至30%的股份，而且這些交易都有可能會(huì )引發(fā)收購，盡管談判尚未開(kāi)始。　　阪本幸雄說(shuō)：“這些臺灣廠(chǎng)商幾乎不可能依靠自己的力量生存。如果不采取一些措施，我們也很難生存。
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爾必達CEO稱(chēng)公司盈利難達預期

　　據國外媒體報道，全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達CEO阪本幸雄周一表示，由于PC需求放緩導致芯片價(jià)格下滑，該公司很可能無(wú)法達到此前的盈利預期。　　阪本幸雄在周一接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，截至明年3月的財年內，爾必達營(yíng)業(yè)利潤將在1000億日元(約合12億美元)至1200億日元之間，銷(xiāo)售額預計為6000億日元至6500億日元。阪本幸雄此前預計，爾必達本財年實(shí)現營(yíng)業(yè)利潤1600億日元，實(shí)現銷(xiāo)售額7000億日元。　　阪本幸雄表示，由于增速慢于預期，爾必達將推遲提升中國臺灣產(chǎn)能的計劃。過(guò)去一個(gè)月間，由于擔心
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爾必達12月將啟動(dòng)30納米DRAM量產(chǎn)

　　據《日本經(jīng)濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開(kāi)始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線(xiàn)寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。　　報道稱(chēng)呢個(gè)，爾必達已開(kāi)發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現有的設備來(lái)達成更精細制程，而無(wú)需進(jìn)行大規模的資本投資。　　爾必達位于日本廣島的工廠(chǎng)，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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爾必達已與Spansion開(kāi)發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開(kāi)發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結構，該公司計劃于2011年開(kāi)始在其日本西部的工廠(chǎng)批量生產(chǎn)該芯片。　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動(dòng)柵(floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)
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爾必達造平板電腦適用的全球最小LPDDR2顆粒

　　爾必達公司今天宣布，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一款新品2Gb容量DDR2移動(dòng)存儲芯片，號稱(chēng)全球最小的LPDDR2顆粒，FBGA封裝后封裝尺寸僅有10x11.5mm。　　該內存顆粒主要面向智能手機和平板機市場(chǎng)，運行在1.2V低壓下，可實(shí)現1066Mbps的高數據傳輸率，64bit配置上每秒可傳輸8.5GB數據。由于使用了40nm工藝制造，該顆粒的功耗比上代50nm產(chǎn)品低30%。　　爾必達計劃以多種形式出貨該內存顆粒，包括用于堆疊封裝的裸片，以及PoP或FBGA封裝后出貨。　　爾必達稱(chēng)，目前其廣島工廠(chǎng)的
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面向移動(dòng)設備:爾必達宣布40nm 2Gb密度 LPDDR2芯片開(kāi)發(fā)完成

　　日本內存芯片廠(chǎng)商爾必達公司最近宣稱(chēng)公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了世界尺寸最小的LPDDR2內存芯片，這種芯片的容量密度達2Gb，采用40nm制程技術(shù)制作，芯片的型號為ECB240ABBCN，芯片數據傳輸率達1066Mbps，工作電壓為1.2V，可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織認可的低功耗DDR2內存標準，支持這種標準的芯片產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)面向智能手機，平板電腦等移動(dòng)設備。　　爾必達稱(chēng)該內存芯片產(chǎn)品將于今年8月份開(kāi)始量產(chǎn)，產(chǎn)品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨，并可以
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爾必達與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠(chǎng)爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達將為飛索半導體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權，該項技術(shù)乃是以其稱(chēng)為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過(guò)旗下的廣島12寸廠(chǎng)，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶(hù)營(yíng)銷(xiāo)。　　路透(Reut
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爾必達計劃削減債務(wù)并收購資產(chǎn)

　　由于電腦行業(yè)復蘇推動(dòng)全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達扭虧為盈，因此該公司計劃削減債務(wù)，并購買(mǎi)資產(chǎn)。　　負責管理財務(wù)和會(huì )計事務(wù)的爾必達高管Takehiro Fukuda說(shuō)：“我們將尋求包括并購和合作在內的各種機會(huì )。”他表示，爾必達將進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)范圍，包括智能手機和電視芯片。除此之外，還準備年底將權益負債率(debt-to-equity ratio)從1.3降低到1，并最終降到0.3。　　在芯片價(jià)格大幅下滑導致?tīng)柋剡_2008年出現創(chuàng )紀錄的虧損后，該公司從日本開(kāi)發(fā)銀行獲得
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爾必達宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開(kāi)發(fā)完成

　　日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品據稱(chēng)是在爾必達設在德國慕尼黑的設計中心開(kāi)發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開(kāi)始試銷(xiāo)這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產(chǎn)品的量產(chǎn)則預計會(huì )定在今年7-9月份的時(shí)間段。　　據爾必達表示，其設在廣島的芯片廠(chǎng)將負責這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產(chǎn)，另外爾必達還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。　　GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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爾必達欲聯(lián)合臺系內存廠(chǎng)商在大陸興建芯片廠(chǎng)

　　據臺灣媒體援引爾必達公司CEO Yukio Sakamoto的說(shuō)法報道，日本內存廠(chǎng)商爾必達計劃聯(lián)合臺系內存廠(chǎng)商在大陸興建芯片廠(chǎng)，據稱(chēng)該芯片廠(chǎng)將于2012年建成投入使用。　　據悉該芯片廠(chǎng)將負責生產(chǎn)大陸消費者所需要的芯片產(chǎn)品，該媒體還報道稱(chēng)爾必達很可能會(huì )尋求大陸政府對該項目的資金援助。　　據分析，臺灣茂德公司是爾必達該項目最有可能的合作伙伴之一，而力晶半導體的可能性則位居第二。該報道還稱(chēng)這間合資芯片廠(chǎng)可能會(huì )是一間基于200mm晶圓技術(shù)的工廠(chǎng)，將專(zhuān)門(mén)負責生產(chǎn)非標存儲芯片產(chǎn)品。　　早在2008年8
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探討爾必達存儲器項目的可行性

　　日前傳聞爾必達可能牽手臺灣茂德來(lái)中國建存儲器廠(chǎng)，引起業(yè)界興趣。如今不管項目成與否?作些準備還是十分有必要的。　　爾必迖在中國建廠(chǎng)的目的　　爾必達社長(cháng)坂本幸雄是個(gè)有野心之人，誓言要與三星爭個(gè)高低，作全球存儲器第一。之前他的努力欲聯(lián)合臺灣地區的存儲器業(yè)，結果由于美光的插足等原因，使其目的僅達成一半。如今又想到中國，因此它的目的非常清楚，要擴大產(chǎn)能，缺資金是首位，所以要中國政府來(lái)投資;另一方面是希望獲得優(yōu)惠政策，加上利用中國的市場(chǎng)及人力等來(lái)降低生產(chǎn)制造成本。　　中方的策略　　中國方面要考慮些
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爾必達介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠(chǎng)商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內存條.Elpida在歐美市場(chǎng)以提供高品質(zhì)的DRAM類(lèi)產(chǎn)品而著(zhù)稱(chēng),但因在大陸地區韓系廠(chǎng)商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷(xiāo)售,但同時(shí)也為廣大業(yè)者帶來(lái)潛在的商機. [ 查看詳細 ]

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