爾必達文章進(jìn)入爾必達技術(shù)社區

爾必達計劃在中國大陸和臺灣建廠(chǎng)

　　據國外媒體報道，爾必達總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，該公司計劃在中國大陸和臺灣建廠(chǎng)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求并減少稅收成本。　　阪本幸雄表示，爾必達必將進(jìn)軍中國市場(chǎng)，該公司最早將于2012年與一家臺灣芯片制造商合作到大陸建廠(chǎng)，并希望尋求中國政府的支持。爾必達還將加快其臺灣合資公司瑞晶電子第二家工廠(chǎng)的建設進(jìn)程。　　阪本幸雄預計，隨著(zhù)電腦銷(xiāo)量回升以及新款移動(dòng)設備對存儲芯片需求的增加，爾必達本財年有望實(shí)現創(chuàng )紀錄的利潤和收入。三星電子上月表示，今年將向芯片業(yè)務(wù)投資89億美元，約為爾必達的10倍。海力士也
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爾必達宣布全球最小40nm 2Gb移動(dòng)內存顆粒

　　據報道，日本DRAM大廠(chǎng)爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(dòng)(Mobile RAM)內存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱(chēng)目前能夠使用40nm工藝實(shí)現量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動(dòng)內存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數據傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。　　爾必達稱(chēng)，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
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全球最大容量爾必達4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

　　日本DRAM大廠(chǎng)爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jì)却鏃l，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒澞?0%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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爾必達2010財年凈利20億日元三年內首次盈利

　　據國外媒體報道，日本最大的計算機內存芯片制造商爾必達周三發(fā)布了該公司2010財年初步財報。財報顯示，受內存芯片價(jià)格上漲及PC銷(xiāo)量增長(cháng)的推動(dòng)，爾必達在過(guò)去三年中首次實(shí)現盈利。　　內存價(jià)格的大幅上漲，使得處于長(cháng)期虧損的內存芯片制造商紛紛實(shí)現了盈利。爾必達財報顯示，在截至3月31日的2010財年，爾必達的凈利潤為20億日元。這一業(yè)績(jì)好于2009財年，爾必達在2009財年的凈虧損為1789億日元。　　根據亞洲最大芯片現貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)此前
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爾必達狀告英飛凌和百思買(mǎi)，要求禁售有關(guān)產(chǎn)品

　　本月早些時(shí)候，日本爾必達公司向美國佛吉尼亞?wèn)|區法庭提交了針對英飛凌公司和百思買(mǎi)公司的訴狀，指這兩家公司違反國際貿易委員會(huì )(ITC)的有關(guān)規定。爾必達公司指控這兩家公司生產(chǎn)/銷(xiāo)售/進(jìn)口的產(chǎn)品侵犯了自己有關(guān)移動(dòng)設備用半導體集成電路的幾項專(zhuān)利。　　不僅如此，爾必達公司還向該法院遞交了另外一份訴狀，訴狀指英飛凌公司生產(chǎn)的微控制器產(chǎn)品觸犯了爾必達公司幾項與汽車(chē)電子設備有關(guān)的專(zhuān)利。　　為此，爾必達公司在訴狀中請求美國法院禁止這兩家公司生產(chǎn)/銷(xiāo)售的有關(guān)產(chǎn)品在美國地區進(jìn)口/銷(xiāo)售，并要求對已售出的有關(guān)產(chǎn)品對爾必
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專(zhuān)利戰升級爾必達反告英飛凌芯片侵權

　　爾必達近日向美國法院對英飛凌提起兩項專(zhuān)利侵權訴訟，此次訴訟可以看作是爾必達對英飛凌起訴的反擊，雙方的半導體芯片大戰開(kāi)始升級。　　訴訟之一，爾必達稱(chēng)英飛凌侵犯了其三項與手機有關(guān)的微控制器美國專(zhuān)利，這其中就涉及英飛凌為蘋(píng)果iPhone生產(chǎn)的微控制器。第二項訴訟是英飛凌侵犯用于汽車(chē)組件的微控制器專(zhuān)利。　　爾必達在手機微控制器侵權聲明中表示，英飛凌拒絕了爾必達的專(zhuān)利授權，在不顧爾必達專(zhuān)利的情況下繼續出售微控制器。　　該手機微控制器訴訟中還提到了百思買(mǎi)，原因則是后者銷(xiāo)售使用侵犯爾必達專(zhuān)利微控制器的手
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華邦為爾必達代工的GDDR顯存產(chǎn)能明顯低于預期

　　據業(yè)者透露，臺灣華邦公司最近已經(jīng)開(kāi)始為爾必達內存公司代工GDDR顯存芯片產(chǎn)品，其月產(chǎn)能為5000片晶圓。不過(guò)，由于華邦認為NOR閃存毛利更高，因此其保留了部分產(chǎn)能用來(lái)制作NOR閃存，這便導致目前華邦公司的GDDR芯片產(chǎn)能僅能滿(mǎn)足爾必達一半的需求。　　據業(yè)者分析，由于爾必達公司顯存業(yè)務(wù)量的激增，爾必達目前對華邦GDDR芯片的產(chǎn)能需求在每月1萬(wàn)片左右，而華邦則被NOR閃存最近的漲價(jià)風(fēng)聲所吸引，增大了NOR閃存的產(chǎn)能，這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產(chǎn)能。　　華邦計劃到下半年將其N(xiāo)OR閃存芯片的
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爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

　　3月4日消息，據國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。　　爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬(wàn)美元)收購S(chǎng)pansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠(chǎng)。　　爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機方面的運用增長(cháng)趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導體
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日本爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

　　日本爾必達周四稱(chēng)，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。　　爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機方面的運用愈發(fā)增加。爾必達正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導體。　　爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù)，及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規模進(jìn)行評論。　　日本經(jīng)濟新聞報導稱(chēng)，爾必達記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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爾必達擬投資400億日圓提高瑞晶產(chǎn)能

　　日本經(jīng)濟新聞報導，日廠(chǎng)爾必達(Elpida)與臺廠(chǎng)力晶合資成立的瑞晶，計劃在2010年度內將DRAM產(chǎn)能提高為目前的2倍。　　日經(jīng)報導，雙方將投資約400億日圓(約4.3億美元)將瑞晶產(chǎn)線(xiàn)全數轉進(jìn)45奈米制程，以提高生產(chǎn)效率。　　另一方面，爾必達亦計劃對該公司生產(chǎn)主力的廣島廠(chǎng)加碼投資600億日圓進(jìn)行增產(chǎn)，估計含瑞晶在內，總產(chǎn)能將擴增為1.6倍，可望追上三星電子(Samsung Electronics)。　　報導指出，瑞晶目前月產(chǎn)能為7.5萬(wàn)片(以12寸晶圓計)，目前采用的是65奈米制程技術(shù)
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爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內存芯片已投入量產(chǎn)

　　爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內存芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作，而他們只用了兩個(gè)月的時(shí)間便將這項技術(shù)投入了量產(chǎn)。 ? 　　比較現有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規格的DDR3內存芯片時(shí)的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達到1
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爾必達開(kāi)發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內存芯片

　　爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作，并稱(chēng)使用這種新制程技術(shù)制作出的內存芯片在制作成本方面要比現有的50nm制程內存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶圓上時(shí)，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開(kāi)發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進(jìn)一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著(zhù)減小廠(chǎng)方在制造設備上的費用投資。　　這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內存芯片面向的
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爾必達內存有望今年實(shí)現三年來(lái)的首次年度盈利

　　12月11日訊，據國外媒體報道，受到內存需求大于供給的利好影響，日本最大的內存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結束時(shí)實(shí)現開(kāi)業(yè)三年來(lái)首次出現年度贏(yíng)利。　　爾必達內存公司首席執行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱(chēng)：“由于今年全球電腦市場(chǎng)對內存需求大于供給，我們也將在本財年結束時(shí)首次實(shí)現年度盈利。” 　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱(chēng)：“盡管這種
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爾必達與臺灣茂德簽DRAM代工預計明年量產(chǎn)

　　據臺灣經(jīng)濟日報報道，日本記憶體晶片大廠(chǎng)爾必達與臺灣茂德、華邦結盟，市場(chǎng)揣測會(huì )趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長(cháng)坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒(méi)有，但以后的事很難說(shuō)。”強調爾必達會(huì )積極與臺灣DRAM廠(chǎng)“共同抗韓”的立場(chǎng)。　　茂德董事長(cháng)陳民良透露，將引進(jìn)新的投資對象，目前潛在合作對象有四個(gè)集團，但堅決不透露是誰(shuí)中選。　　業(yè)內揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買(mǎi)下茂德竹科8吋與1
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臺“經(jīng)濟部”主導的TIMC成立計劃走向窮途末路

　　臺“立法院經(jīng)濟委員會(huì )”本月26日一致投票通過(guò)反對臺經(jīng)濟部一項要求政府向臺灣創(chuàng )新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著(zhù)臺灣當局主導的力圖重建本土內存工業(yè)的改革計劃第四次遭到政府其它部門(mén)的反對。　　與此形成鮮明對比的是，韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識經(jīng)濟部的說(shuō)法，稱(chēng)南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開(kāi)發(fā)自旋極化磁隨機存取內存技術(shù)(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬(wàn)美元)，占項目總預算的一半。　　此前三星與海力士公司
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爾必達介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠(chǎng)商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內存條.Elpida在歐美市場(chǎng)以提供高品質(zhì)的DRAM類(lèi)產(chǎn)品而著(zhù)稱(chēng),但因在大陸地區韓系廠(chǎng)商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷(xiāo)售,但同時(shí)也為廣大業(yè)者帶來(lái)潛在的商機. [ 查看詳細 ]

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