爾必達12月將啟動(dòng)30納米DRAM量產(chǎn)

　　據《日本經(jīng)濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開(kāi)始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線(xiàn)寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。

　　報道稱(chēng)呢個(gè)，爾必達已開(kāi)發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現有的設備來(lái)達成更精細制程，而無(wú)需進(jìn)行大規模的資本投資。

　　爾必達位于日本廣島的工廠(chǎng)，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子預定在2011年底之前啟動(dòng)。

　　轉入DRAM新制程，初估可增加爾必達芯片收益約45%，進(jìn)而壓低生產(chǎn)成本30%，達到與三星相同的水準。