爾必達文章進(jìn)入爾必達技術(shù)社區

納米制程遇瓶頸業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)

　　隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。　
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DRAM報價(jià)直落爾必達逆勢大舉募資

　　DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價(jià)格一再破底，但DRAM廠(chǎng)募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢(qián)，爾必達(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉債，決定大舉投入30納米和25納米制程，并加碼行動(dòng)裝置用存儲器的技術(shù)投資。不過(guò)由于爾必達這次在市場(chǎng)景氣低迷之際，進(jìn)行如此大規模的募資行動(dòng)，也引發(fā)市場(chǎng)不小爭議。
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爾必達擬發(fā)行新股籌資9.9億美元

　　據路透社報道，世界第三大芯片制造商日本爾必達公司近日計劃發(fā)行新股和可轉換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達從傳統的DRAM芯片生產(chǎn)轉向了更為有利可圖的智能手機芯片生產(chǎn)，因此需要此筆資金進(jìn)行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
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傳爾必達將發(fā)行新股和可轉債融資9.9億美元

　　北京時(shí)間7月11日午間消息，據知情人士透露，全球第三大DRAM制造商爾必達計劃通過(guò)發(fā)行新股和可轉換債券的方式融資800億日元(約合9.92億美元)。
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爾必達采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開(kāi)始供貨

　　爾必達存儲器宣布，開(kāi)始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術(shù)實(shí)現32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據爾必達介紹，與采用引線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節省
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爾必達宣布開(kāi)始銷(xiāo)售DDR3 DRAM樣品芯片

　　日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
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2011年日本半導體出貨額預計將減少6%

　　據日本媒體報道，近日世界半導體市場(chǎng)統計機構WSTS發(fā)布了關(guān)于2011年世界半導體出貨統計的預測。WSTS報告指出，2011年全球半導體出貨額將達3144億美元(25兆1520億日元)，同比增長(cháng)了5%。受地震影響，日本半導體出貨額將減少6%。
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爾必達開(kāi)發(fā)出全球最薄的DRAM

　　日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。　　超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動(dòng)設備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。　　
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DRAM產(chǎn)業(yè)：美日聯(lián)合抗三星

　　DRAM價(jià)格持續處于跌價(jià)泥淖，不只臺系DRAM廠(chǎng)陸續轉型、退出，國際大廠(chǎng)也在尋求長(cháng)遠生存之道，近日傳出爾必達(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來(lái)可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點(diǎn)，因此也傳出爾必達對華亞科的股權有興趣，為此和美光、臺塑接洽;業(yè)界認為DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)在技術(shù)、資金等門(mén)檻越來(lái)越高下，若要有效對抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結盟勢為必走之路。　　
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合之路迫在眉睫

　　DRAM產(chǎn)業(yè)走過(guò)2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠(chǎng)都把產(chǎn)能轉去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續崩跌局面，因此集成的議題持續被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng )辦人孫大衛即表示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺廠(chǎng) DRAM廠(chǎng)高層即表示，整并最恰當的方式是2家母廠(chǎng)(美光、爾必達)先自行整并，臺灣DRAM廠(chǎng)自然會(huì )集成?！?/li>
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爾必達2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

　　日本爾必達公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(縮寫(xiě)為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能?！?/li>
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臺灣爾必達高層異動(dòng)　大舉整頓在臺PC DRAM代理策略

　　日系存儲器大廠(chǎng)爾必達(Elpida)臺灣人事和營(yíng)運布局大地震，總經(jīng)理謝俊雄6月初閃電退休，職缺暫由全球業(yè)務(wù)副總張士昌兼任，同時(shí)爾必達也著(zhù)手整頓臺灣PC DRAM通路代理，由過(guò)去2~3家代理商的策略，收回由力晶關(guān)系人近期秘密成立的新通路商智勝統籌，另外也傳出爾必達將小幅入股智勝，象征與力晶之間的合作關(guān)系緊密;存儲器業(yè)者認為，力晶年初宣布棄品牌投注爾必達代工麾下，對雙方營(yíng)運層面的改變才正要開(kāi)始而已。　　2年前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)雖然沒(méi)有集成成功，但顯然地，爾必達已默默搜刮臺灣12寸晶圓產(chǎn)能，從茂德合作伙伴
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爾必達與聯(lián)電力成合作開(kāi)發(fā)TSV產(chǎn)品

　　看好3D市場(chǎng)，DRAM大廠(chǎng)爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開(kāi)TSV產(chǎn)品的共同開(kāi)發(fā);爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進(jìn)行開(kāi)發(fā)與商務(wù)合作。
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爾必達“高明投資”方式應對DRAM需求增長(cháng)

　　日本爾必達存儲器正致力于通過(guò)小額設備投資實(shí)現大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年，但卻打算以較上財年減少30%的設備投資額(800億日元)來(lái)應對。從40nm開(kāi)始采用的嵌入式字線(xiàn)(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計劃得以實(shí)現的關(guān)鍵。　　
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爾必達開(kāi)發(fā)25納米DRAM

　　據韓聯(lián)社報導，三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長(cháng)權五鉉在三星主要首長(cháng)團會(huì )議中表示，日本DRAM制造廠(chǎng)爾必達(Elpida)雖然公開(kāi)表示已開(kāi)發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續觀(guān)察至正式量產(chǎn)，表現出存疑的態(tài)度。　　
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爾必達介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠(chǎng)商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內存條.Elpida在歐美市場(chǎng)以提供高品質(zhì)的DRAM類(lèi)產(chǎn)品而著(zhù)稱(chēng),但因在大陸地區韓系廠(chǎng)商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷(xiāo)售,但同時(shí)也為廣大業(yè)者帶來(lái)潛在的商機. [ 查看詳細 ]

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