Silego推出業(yè)界首顆p通道MOSFE替代產(chǎn)品集成負載開(kāi)關(guān)

　　2013年10月15日，Silego公司的電源族又推出了納安級功耗負載開(kāi)關(guān)系列。此系列推出了兩款產(chǎn)品：支持6A負載電流的SLG59M1470V和支持2A負載電流的SLG59M1460V。

　　Silego公司專(zhuān)有的亞微米銅裝FET技術(shù)支持以1 x 1 mm標準塑封的業(yè)界最小，功能最全的高效率電源開(kāi)關(guān)

　　納安級功耗能源負載開(kāi)關(guān)支持低至9.5 μs內快速電源切換。此快速切換特點(diǎn)允許任意系統當電源關(guān)閉時(shí)提供電源分離。有效模式下啟動(dòng)SLG59M1470V僅消耗35 nA 休眠模式下的極低功耗以及有效模式下的低Rds(ON)

　　導通電阻性能大大提高了電池壽命。

　　Silego公司營(yíng)銷(xiāo)部主管Jay Li 說(shuō)到，手機系統設計人員要求負載開(kāi)關(guān)同時(shí)具備三個(gè)參數：快速啟動(dòng)，低Rds(ON)導通電阻以及低能耗。目前的P通道MOSFET解決方案雖然啟動(dòng)速度能耗低，但是電源低于2.5V時(shí)導通電阻高。我們的納安級功耗能源負載開(kāi)關(guān)是業(yè)界首顆具備了此三樣關(guān)鍵手機性能參數的集成負載開(kāi)關(guān)。此款器件現廣泛應用到新一代手機器件包括平板電腦，筆記本以及智能手機中。

　　SLG59M1470V以9 pin, 1.5 x 2.0 mm STDFN封裝。此器件可切換1.0V以下電源。SLG59M1470V的導通電阻在7.4 m?.。

　　SLG59M1460V以8 pin, 1.0 x 1.6 mm STDFN封裝。此器件可切換1.0V電源。SLG59M1460V的導通電阻在21.3 m?。

　　目標應用:

　　· 平板電腦
　　· 智能手機
　　· 筆記本電腦
　　· 任一頻繁切換叫醒與休眠循環(huán)的系統Any system requiring frequent wake & sleep cycle