Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻
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2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。日前推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節省空間及提高效率而設計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動(dòng)下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/167318.htm
對于電源管理中的負載和電池開(kāi)關(guān)，以及智能手機、平板電腦、移動(dòng)計算設備、硬盤(pán)驅動(dòng)器和固態(tài)驅動(dòng)的同步降壓轉換應用里的控制開(kāi)關(guān)，-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5m?(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開(kāi)關(guān)。
器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實(shí)現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長(cháng)電池壽命，同時(shí)這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(diǎn)(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術(shù)不需要使用電平轉換電路或“自舉”器件，簡(jiǎn)化了柵極驅動(dòng)的設計。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進(jìn)行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規格表：
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
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