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富士通-西門(mén)子
富士通-西門(mén)子 文章 進(jìn)入富士通-西門(mén)子技術(shù)社區
傳富士通正調整戰略：擬向臺積電出售晶圓廠(chǎng)
- 北京時(shí)間12月29日晚間消息，路透社援引消息人士的觀(guān)點(diǎn)稱(chēng)，日本富士通正與臺灣芯片代工廠(chǎng)商臺積電接洽，打算將旗下12寸晶圓廠(chǎng)出售給后者。 報道稱(chēng)，日本的芯片廠(chǎng)商正面臨架構升級成本高昂、日元持續走強以及來(lái)自三星等韓國競爭對手的強勢沖擊等不利因素，不得不考慮將生產(chǎn)外包到日本之外的地方。 富士通此次打算出售的是其位于日本西部三重縣的半導體工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)主要生產(chǎn)用于照相機的圖像處理芯片，以及用戶(hù)超級計算機的數字運算芯片。 據稱(chēng)，此次出售制造工廠(chǎng)是富士通戰略調整計劃的一部分，該公司打算將生產(chǎn)制造業(yè)
- 關(guān)鍵字： 富士通 芯片 晶圓
芯片制作工藝需追趕世界潮流 加倍努力
- 隨著(zhù)科技的發(fā)展，在半導體設計制造方面，各相關(guān)廠(chǎng)商相繼突破制造工藝，提高市場(chǎng)競爭力。 2012年初，富士通半導體宣布交付其為中小型IC設計公司量身定制的55nm創(chuàng )新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國IC設計業(yè)的震動(dòng)。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設計業(yè)2012年會(huì )暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上，富士通半導體又一次帶來(lái)驚喜，率先將已經(jīng)量產(chǎn)的成熟28nm先進(jìn)工藝和設計服務(wù)帶給中國高端SoC設計業(yè)者。 “55nm創(chuàng )新工藝制
- 關(guān)鍵字： 富士通 IC 28nm
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實(shí)現低碳社會(huì )做出重大貢獻。 與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實(shí)現低碳社會(huì )做出重大貢獻。 與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加，來(lái)實(shí)現低成本生產(chǎn)。按照此目標，富
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 硅基板
超低噪聲混合信號芯片 助力醫療CT性能顯著(zhù)提升
- 2012年11月14日，奧地利微電子宣布開(kāi)始供應新款高集成ASIC，在較低的X射線(xiàn)劑量下，幫助西門(mén)子新型計算機斷層掃描(CT)光探測器模塊提供更高分辨率的圖像。奧地利微電子公司是全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器解決方案的設計者及制造商，專(zhuān)為消費通信、醫療電子、汽車(chē)應用行業(yè)服務(wù)。 作為西門(mén)子新型Stellar CT光探測器模塊的組成部分，奧地利微電子的ASIC可捕捉并數字化病人身體的圖像。它在一個(gè)層疊骰子型(3D集成式)配置結構內，將一個(gè)高分辨率光電二極管同一個(gè)低噪聲模數轉換器(ADC)整合在了一
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富士通-西門(mén)子介紹
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