半導體（st）應用軟件文章進(jìn)入半導體（st）應用軟件技術(shù)社區

YMTC芯片制造商的首席執行官表示，中國將在3到5年內迎來(lái)“爆炸性”半導體增長(cháng)

一位中國半導體行業(yè)高管預測，在封裝應用和技術(shù)方面的優(yōu)勢支持下，中國將在未來(lái)三到五年內迎來(lái)“爆炸性增長(cháng)”，為國家克服美國技術(shù)限制開(kāi)辟道路。據中國國家電視臺報道，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )（CSIA）會(huì )長(cháng)、中國最大的存儲芯片制造商長(cháng)江存儲技術(shù)有限公司（YMTC）負責人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場(chǎng)導向型行業(yè)模式，放棄依賴(lài)大學(xué)和研究機構的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語(yǔ)頻道CGTN采訪(fǎng)時(shí)表示：“[今天的重點(diǎn)]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務(wù)和商業(yè)模式的創(chuàng )新，這些最終必須帶來(lái)價(jià)值?！?他在接受CGTN采訪(fǎng)時(shí)說(shuō)，“中國的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導體

美國半導體制造商O(píng)nsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺，用于電動(dòng)汽車(chē)和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關(guān)斷損耗。據Onsemi稱(chēng)，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場(chǎng)至關(guān)重要。在電動(dòng)汽車(chē)中，逆變器將電池的直流電轉換為電動(dòng)機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低，車(chē)輛在相同電池容量下的續航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了
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歐盟和韓國合作推進(jìn)半導體技術(shù)

歐盟與韓國簽署協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)半導體技術(shù)。這一合作將作為歐盟和韓國數字伙伴關(guān)系的成果，共同資助四個(gè)半導體項目。根據歐盟和韓國數字伙伴關(guān)系的安排，這些項目將共同籌集1200萬(wàn)歐元資金。其中一半來(lái)自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來(lái)自韓國國家研究基金會(huì )（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續三年，旨在推進(jìn)異構集成技術(shù)（將多個(gè)組件集成到一個(gè)半導體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術(shù)（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結合歐洲和韓國研究與創(chuàng )
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中國團隊研究解決了減少傳統硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙

中國科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導體材料，這一進(jìn)展可能會(huì )帶來(lái)更快、更節能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開(kāi)輝、人民大學(xué)的劉燦和中國科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導的團隊，開(kāi)發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發(fā)現于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著(zhù)設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過(guò)渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國計劃對中國半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴厲”制裁：報告

美國政府正在考慮對中國獲取先進(jìn)芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國盟友稱(chēng)為“嚴厲”。主要提案包括應用外國直接產(chǎn)品（FDP）規則，施壓盟友限制在中國的設備服務(wù)和維修，以及擴大需要許可證的未核實(shí)清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。一個(gè)關(guān)鍵提案是應用FDP規則，這將允許美國對包含任何美國技術(shù)的外國生產(chǎn)的物品施加控制。根據彭博社的報道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國提供先進(jìn)的晶圓制造設備（WFE）。這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但反映了美國政府限制中
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DARPA投資8400萬(wàn)美元用于3D軍用芯片組

五角大樓的高級研究項目局（DARPA）撥款8.4億美元，用于開(kāi)發(fā)美國軍方的下一代半導體微系統。這筆資金的受益者是德州電子研究所（TIE），該機構成立于2021年，位于德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校，并作為一個(gè)由德州州政府和地方政府、芯片公司和學(xué)術(shù)機構組成的聯(lián)盟運營(yíng)。TIE的研究重點(diǎn)是異構集成技術(shù)，通常稱(chēng)為芯片組——將單獨的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法：現代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個(gè)硅片，每個(gè)硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領(lǐng)域的半導體研發(fā)經(jīng)驗
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美國：非法芯片流向俄羅斯減少，但中國和香港仍是轉運中心

通過(guò)香港向俄羅斯運輸的高優(yōu)先級物品（CHPL）減少了28%（2024年1月至5月）——美國商務(wù)部提供給路透社的數據 2023年通過(guò)香港/中國運輸的Nvidia產(chǎn)品達1760萬(wàn)美元——C4ADS數據香港是全球規避制裁的“領(lǐng)先”中心——新CFHK報告高端芯片通過(guò)香港從Nvidia和Vectrawave運出香港政府表示不會(huì )執行單邊美國制裁
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STM32H5：新一代高性能MCU，提供極致性?xún)r(jià)比

在飛速迭代的電子科技版圖中，微控制器作為電子設備的中樞神經(jīng)系統，其卓越的性能與堅不可摧的安全性構成了支撐整個(gè)系統高效運行與數據嚴密防護的基石。近年來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的井噴式發(fā)展，對MCU的性能標準提出了更為嚴苛的要求，尤其是在工業(yè)應用的前沿陣地，安全、效能卓越且設計靈活的MCU已成為市場(chǎng)競相追逐的焦點(diǎn)。鑒于此，ST憑借深厚的技術(shù)積累，重磅推出了STM32H5系列新一代高性能MCU，該系列專(zhuān)為加速安全導向的工業(yè)應用設計而生，旨在為開(kāi)發(fā)者開(kāi)辟前所未有的設計創(chuàng )新空間，并構筑起堅不可摧的安全防線(xiàn)。STM32H5系列不
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7nm等光刻機沒(méi)有也無(wú)妨！中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)：先進(jìn)封裝是未來(lái)

7月22日消息，據國內媒體報道稱(chēng)，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)陳南翔近日接受采訪(fǎng)時(shí)表示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上，未來(lái)一定孕育巨大成功模式?！霸?0年前，我不曾想過(guò)中國半導體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規模，但是在過(guò)去的20年我們可以清楚的看到，未來(lái)中國一定會(huì )有今天這樣的發(fā)展?！标惸舷璺Q(chēng)，不過(guò)，當下還不是中國半導體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展狀態(tài)，中國最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出，當前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的，有著(zhù)各自的定義?！耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候，在每一個(gè)節點(diǎn)上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
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美限制對華高科技投資新規年底出臺 AI半導體量子計算機全數封殺

受到美國即將出臺的限制華投資法案影響，許多早已在中國高科技領(lǐng)域投資的美國投資公司將面臨退出或分拆的命運，而此項新法規將可能使美國資本失去參與未來(lái)半導體、量子計算機或人工智能（AI）等高科技發(fā)展的機會(huì )。據《芯智訊》報導，今年6月底美國財政部發(fā)布了「關(guān)于實(shí)施對外投資行政命令的擬議規則」（NPRM），限制美國人在中國半導體和微電子、量子信息技術(shù)、人工智能系統等領(lǐng)域的投資。該擬議規則目前正在征求意見(jiàn)，預計最終法規將在2024年底前出臺。法令出臺后，一些仍在中國高科技產(chǎn)業(yè)投資的美國企業(yè)可能要被迫剝離他們在中國高科技
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大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案

致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來(lái)，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng )新升級，每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來(lái)革命性變革。特別是USB PD3.1快充標準的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹(shù)立了新的里程碑。該標準不僅將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增多組固定和可調輸出電壓檔位，可為各種電子設備提供更加靈活
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美國將向臺灣環(huán)球晶圓公司提供高達4億美元資金以提升美國半導體晶圓生產(chǎn)

華盛頓，7月17日——美國商務(wù)部周三表示，計劃向臺灣環(huán)球晶圓（6488.TWO）提供高達4億美元的政府補助金，以顯著(zhù)增加硅晶圓的生產(chǎn)。商務(wù)部表示，德克薩斯州和密蘇里州的項目資金將建立美國首個(gè)用于先進(jìn)半導體的300毫米晶圓生產(chǎn)，并擴大絕緣體上硅（SOI）晶圓的生產(chǎn)。這些晶圓是先進(jìn)半導體的重要組成部分，是拜登政府推動(dòng)芯片供應鏈努力的一部分。計劃中的補貼將支持環(huán)球晶圓在兩州計劃的40億美元投資，以建設新的晶圓制造設施，并創(chuàng )造1700個(gè)建筑工作崗位和880個(gè)制造工作崗位。商務(wù)部長(cháng)吉娜·雷蒙多表示：
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為何非洲可能成為芯片業(yè)務(wù)的下一個(gè)半導體生態(tài)系統

美國貿易與發(fā)展署與肯尼亞的合作關(guān)系標志著(zhù)將非洲融入全球半導體供應鏈的重大舉措，這表明該大陸在這一高科技產(chǎn)業(yè)中的崛起。肯尼亞、尼日利亞、盧旺達和加納等非洲國家提供了豐富的半導體生產(chǎn)所需的關(guān)鍵礦物，以及年輕、精通技術(shù)的人口，準備推動(dòng)創(chuàng )新和技術(shù)進(jìn)步。投資非洲的半導體產(chǎn)業(yè)不僅可以降低供應鏈風(fēng)險和成本，還可以促進(jìn)可持續的經(jīng)濟發(fā)展、創(chuàng )造就業(yè)機會(huì )和技術(shù)進(jìn)步，惠及非洲經(jīng)濟及其西方合作伙伴。美國貿易與發(fā)展署與肯尼亞合作提升東非國家半導體制造業(yè)的最近公告，是將非洲大陸納入全球半導體供應鏈的重要一步。這一發(fā)展標志著(zhù)
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美國計劃對中國半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴厲”制裁

據報道，美國政府正在考慮對中國獲取先進(jìn)芯片制造工具實(shí)施更嚴厲的限制措施，甚至有一些美國盟友稱(chēng)這些措施為“嚴厲”。主要提議包括應用外國直接產(chǎn)品（FDP）規則，施壓盟友限制在中國的設備服務(wù)和維修，以及擴大需要許可證的未驗證名單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。其中一個(gè)關(guān)鍵提議是應用FDP規則，這將允許美國對包含任何美國技術(shù)的外國生產(chǎn)項目進(jìn)行控制。根據彭博社的報道，這將特別影響東京電子和阿斯麥等公司，限制它們向中國提供先進(jìn)的晶圓制造設備（WFE）。盡管這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但它反映了政府限
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意法半導體發(fā)布ST BrightSense圖像傳感器生態(tài)系統讓先進(jìn)的攝像性能惠及各種應用領(lǐng)域

意法半導體推出了一套即插即用的圖像傳感器應用開(kāi)發(fā)硬件、評估用攝像頭模塊和軟件，該生態(tài)系統有助于簡(jiǎn)化基于ST BrightSense全局快門(mén)圖像傳感器的應用開(kāi)發(fā)，讓開(kāi)發(fā)者能夠采用ST BrightSense 圖像傳感器設計大規模工業(yè)和消費產(chǎn)品，確保產(chǎn)品具有出色的拍攝性能。與傳統卷簾快門(mén)圖像傳感器不同的是，全局快門(mén)圖像傳感器能夠同時(shí)曝光所有像素，拍攝快速移動(dòng)的物體，圖像不會(huì )失真變形，當配備補光系統時(shí)，可明顯降低功耗。ST BrightSense CMOS 全局快門(mén)傳感器采用先進(jìn)的背照式像素技術(shù)，在意法半導體
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