Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領(lǐng)先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著(zhù)TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導通電阻可靠性——而市場(chǎng)上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。

這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統常用于高性能領(lǐng)域，如計算（人工智能、服務(wù)器、電信、數據中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業(yè)市場(chǎng)。目前，氮化鎵在這一市場(chǎng)領(lǐng)域的全球潛在市場(chǎng)規模(TAM)達25億美元。值得關(guān)注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統最佳解決方案，AI系統依賴(lài)于GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10到15倍。

目前，各種高性能領(lǐng)域的主流客戶(hù)開(kāi)始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統提供電力支持，應用領(lǐng)域包括數據中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用于電動(dòng)汽車(chē)的DC-DC轉換器和車(chē)載充電器應用，因為核心SuperGaN芯片已通過(guò)汽車(chē)行業(yè)(AEC-Q101)標準認證。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類(lèi)型，給予了客戶(hù)最廣泛的封裝選擇，以滿(mǎn)足客戶(hù)的不同設計需求。與所有Transphorm產(chǎn)品一樣，該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平臺所固有的性能和可靠性?xún)?yōu)勢。如需詳細了解SuperGaN與 e-mode氮化鎵的對比分析，請下載Transphorm公司最新發(fā)布的白皮書(shū)『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』，該技術(shù)白皮書(shū)的結論與Transphorm今年初發(fā)布的一份對比報告相一致——該比較顯示，在一款市售280W電競筆記本電腦充電器中，使用72 毫歐 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode器件，充電器的性能會(huì )更好。

SuperGaN 器件憑借無(wú)比卓越的性能引領(lǐng)市場(chǎng)： 

l可靠性：FIT< 0.03

l柵極安全裕度：± 20 V

l抗噪性：4 V

l電阻溫度系數（TCR）比 e-mode 器件低 20%

l驅動(dòng)方式更靈活：利用硅基控制器/驅動(dòng)器中現成的標準驅動(dòng)和保護電路

器件規格 

該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩健，且已獲得JEDEC資格認證。由于常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓硅管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡(jiǎn)單的選擇使用常用市售柵極驅動(dòng)，應用于各種軟/硬開(kāi)關(guān)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，同時(shí)減小系統尺寸、重量和總成本。

供貨情況和設計開(kāi)發(fā)資源

SuperGaN TOLL 封裝器件目前可提供樣品。

基于該TOLL封裝器件的系統開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，請參考如下應用指南：

AN0009：Transphorm 氮化鎵 FET 的推薦外部周邊電路

AN0003：針對氮化鎵功率開(kāi)關(guān)的印刷電路板布局和量測

AN0014：適用于中低功率氮化鎵 FET 應用的低成本、高密度、高電壓硅驅動(dòng)器