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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車(chē)電源系統實(shí)現卓越的熱性能和電氣性能
- 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
- 關(guān)鍵字： Transphorm TOLT封裝 氮化鎵 SuperGaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專(zhuān)注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開(kāi)發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專(zhuān)利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營(yíng)的上市公司，這意味著(zhù)在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng )新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場(chǎng)效應晶體管芯片。
- 關(guān)鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動(dòng)器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動(dòng)器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動(dòng)器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
- 關(guān)鍵字： Transphorm SuperGaN FET 驅動(dòng)器
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