Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車(chē)電源系統實(shí)現卓越的熱性能和電氣性能

代表著(zhù)下一代電源系統未來(lái)的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領(lǐng)先供應商 Transphorm, Inc.近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN^? FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS 晶體管的導通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。針對不適合使用傳統底部散熱型表貼器件的系統，TOLT封裝為客戶(hù)提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT 封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實(shí)現高效制造流程的額外優(yōu)勢。

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 強大的高性能 650 V 常閉型 d-mode 氮化鎵平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動(dòng)態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、碳化硅和其他氮化鎵產(chǎn)品。SuperGaN 平臺的優(yōu)勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統成本更低的電源系統客戶(hù)提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

Transphorm正在與全球多個(gè)高功率GaN合作伙伴展開(kāi)合作，包括服務(wù)器和存儲電源領(lǐng)域的領(lǐng)先客戶(hù)，能源/微逆變器領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，創(chuàng )新型離網(wǎng)電源解決方案制造商，以及衛星通信領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。

Transphorm 業(yè)務(wù)發(fā)展及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級副總裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 這樣的表面貼裝器件具有降低內部電感，以及在制造過(guò)程中更簡(jiǎn)單的板載安裝等諸多優(yōu)勢。TOLT 通過(guò)采用頂部散熱來(lái)提供更靈活的整體熱管理，具有類(lèi)似插孔式的散熱性能。這些器件通常用于中高功率系統應用，關(guān)鍵細分市場(chǎng)包括高性能計算（服務(wù)器、電信、人工智能電源）、可再生能源和工業(yè)、以及電動(dòng)汽車(chē)等。目前，其中一些市場(chǎng)應用已采用了Transphorm的氮化鎵技術(shù)。我們非常高興能夠通過(guò)TOLT SuperGaN 解決方案幫助客戶(hù)實(shí)現額外的系統級優(yōu)勢?！?/p>

繼最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm發(fā)布該款TOLT FET新產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富了 Transphorm 的產(chǎn)品線(xiàn)，并彰顯了Transphorm SuperGaN 平臺采用不同封裝形式器件“鎵”馭全功率以支持客戶(hù)應用的市場(chǎng)承諾。

器件規格

SuperGaN 器件憑藉其無(wú)與倫比的性能優(yōu)勢引領(lǐng)市場(chǎng)：

●   可靠性：FIT失效率低于0.05

●   柵極安全裕度：± 20 V

●   抗擾性：4 V

●   電阻溫度系數（TCR）比 e-mode 常閉型氮化鎵器件低 20%

●   驅動(dòng)靈活性（可采用標準的市售硅器件驅動(dòng)器）

該650 V SuperGaN TOLT 封裝器件穩健可靠，已通過(guò) JEDEC 標準認證。由于常閉型 d-mode 平臺是將GaN HEMT與一個(gè)集成型低電壓硅 MOSFET結合，因此，SuperGaN FET 可以使用常用的市售柵極驅動(dòng)器驅動(dòng)，應用于各種硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān) AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，并減少系統尺寸、重量和成本。

訂購及支持資源

TP65H070G4RS SuperGaN TOLT 封裝器件目前可提供樣片。