Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了近一半。

　　SiA433EDJ具有超低的導通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，這些數值比最接近的競爭器件小40%和30%。

　　新的MOSFET也是唯一同時(shí)具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過(guò)壓導致的更高柵極驅動(dòng)電壓波動(dòng)的應用，同時(shí)在采用更低輸入電壓的應用中提供更安全的設計。

　　SiA433EDJ可以用作手持設備，如手機、智能手機、PDA、MP3播放器中的負載、電池和充電開(kāi)關(guān)。MOSFET的低導通電阻意味著(zhù)更低的導通損耗，節約能量并延長(cháng)這些設備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半，卻能提供近似的導通電阻，其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節約出來(lái)的電路板空間用于其他產(chǎn)品特性，或是實(shí)現更小的終端產(chǎn)品。

　　為減少ESD導致的故障，器件內置了一個(gè)齊納二極管，使ESD保護提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規范，符合RoHS指令2002/95/EC，通過(guò)了完整的Rg測試。

　　新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，將于2010年第一季度實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。