Rambus聯(lián)合金士頓開(kāi)發(fā)出“線(xiàn)程式內存條技術(shù)”

　　Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過(guò)這次他們則和金士頓合作開(kāi)發(fā)出了一種可用于增大DDR3內存帶寬的技術(shù)“線(xiàn)程式內存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現有的DDR3技術(shù)，不過(guò)將內存條上的內存芯片進(jìn)行了分塊處理，位于各個(gè)分塊內部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口，不過(guò)數據傳 輸部分則可通過(guò)各自獨立的傳輸通道進(jìn)行傳輸，傳輸的位寬可達64字節(512bit)，這樣就可以將傳統DDR3內存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術(shù)之后，內存芯片的活躍時(shí)間也比過(guò)去降低了一半，如此便可節省20%的能耗。

　　目前單通道DDR3內存的位寬為64bit，雙通道配置則為128bit;而線(xiàn)程式內存條技術(shù)則只需單通道便可提供512bit的數據傳輸位寬，這樣理論峰值帶寬便大大提高了，不過(guò)按Rambus公司自己提供的實(shí)測數據表明，實(shí)際的數據傳輸帶寬增加幅度一般在50%以下。

　　兩家公司將在Intel IDF2009論壇上展示采用這種技術(shù)的實(shí)際產(chǎn)品。