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60納米
60納米 文章 進(jìn)入60納米技術(shù)社區
臺積電繞開(kāi)英特爾工藝標準意在差異化競爭力
- 在半導體晶圓制造工藝度過(guò)60納米平臺后，世界最大的晶圓代工廠(chǎng)臺積電就選擇不再跟隨英特爾的技術(shù)標準。對此，臺積電研發(fā)負責人、研發(fā)發(fā)展資深副經(jīng)歷蔣尚義認為，半導體行業(yè)的每一個(gè)工藝制造都需要近十年的時(shí)間不斷優(yōu)化，而臺積電選擇比英特爾更快的研究更先進(jìn)的制造工藝，意在提高自己的長(cháng)期競爭力。 “我們現在最成熟的工藝是0.13微米，這已經(jīng)是10年前的技術(shù)了，但依然有得改進(jìn)。同理，如果我們第一步領(lǐng)先，就會(huì )在接下去的十年都領(lǐng)先。”蔣尚義昨日在北京向媒體表示。他此行的目的是在27日召開(kāi)的20
- 關(guān)鍵字： 晶圓制造 60納米 32納米
全球半導體2009 Q4的產(chǎn)能同比減少10.7%
- 按半導體國際產(chǎn)能統計(SICAS)公布的2009 第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數據,摘錄部分數據并加以說(shuō)明。 從SICAS摘下的2009 Q4最新數據與2008 Q4比較,有以下諸點(diǎn)加以說(shuō)明; 1),總硅片產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比還是減少10,7% 2),全球代工產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比上升10,6% 3),2008 Q4時(shí)全球小于80納米的產(chǎn)能占總產(chǎn)能比為44%,而到2009 Q4時(shí)占54%,反映技術(shù)進(jìn)步加快。在2008 Q4時(shí)還沒(méi)有小於60納米的產(chǎn)能,而到
- 關(guān)鍵字： 半導體 60納米 硅片
旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠(chǎng)
- 據臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠(chǎng)，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣(mài)廠(chǎng)求現的美夢(mèng)破碎，恐促使DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)廠(chǎng)雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠(chǎng)，積極擴廠(chǎng)后，更將坐穩獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠(chǎng)的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進(jìn)駐中科后里園區。第一期建廠(chǎng)預計年底前動(dòng)工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠(chǎng)規劃產(chǎn)能約8萬(wàn)片，并導入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠(chǎng)計
- 關(guān)鍵字： 旺宏 DRAM 60納米 芯片
DRAM廠(chǎng)40納米開(kāi)戰 50納米恐曇花一現
- 臺系DRAM廠(chǎng)身陷財務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠(chǎng)卻提前引爆40納米制程大戰!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開(kāi)始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰局，爾必達(Elpida)這次雖沒(méi)趕上50納米世代，差點(diǎn)出現世代交替斷層危機，公司內部已研擬2010年將略過(guò)50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來(lái)真正決戰點(diǎn)會(huì )是40納米制程技術(shù)。 三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠(chǎng)2009年紛轉進(jìn)50納米制程，且
- 關(guān)鍵字： DRAM 40納米 60納米 50納米
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60納米介紹
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