新的失效保護方法
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時(shí)間：2009-06-18
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
解決方案
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/95416.htm該解決方案是實(shí)現一個(gè)能夠仿真熔斷器的I2-t特性的智能電路保護算法。這個(gè)概念可轉化為“曲線(xiàn)下面積”。在下圖(圖 7)中，曲線(xiàn)下面積(A區)是保護算法的I2-t界限內。B區所示是在一段時(shí)間內的恒定超負載條件，其中，超負載電流小于智能開(kāi)關(guān)的限流值。在這個(gè)圖中，當限流值超過(guò)曲線(xiàn)時(shí)，智能開(kāi)關(guān)不會(huì )被閉鎖。當B區突破A區時(shí)，器件閉鎖。 這個(gè)原則適用于超負載在開(kāi)關(guān)激活后存在很長(cháng)時(shí)間的狀況。
圖7：超負載與功率限制區比較
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