KLA-TENCOR 推出 PROLITHTM 12 新版計算光刻工具

　　KLA-Tencor 公司日前推出了 PROLITHTM 12 ，這是一款業(yè)界領(lǐng)先的新版計算光刻工具。此新版工具讓領(lǐng)先的芯片制造商及研發(fā)機構的研究人員能夠以具有成本效益的方式探索與極紫外線(xiàn) (EUV) 光刻有關(guān)的各種光罩設計、光刻材料及工藝的可行性。

　　縮小芯片上重要器件的關(guān)鍵尺寸能夠讓芯片廠(chǎng)生產(chǎn)出更快的微處理器，但在成像時(shí)用于曝光光罩的光波波長(cháng)對于能夠形成的器件有最小關(guān)鍵尺寸的限制。在過(guò)去幾代的芯片器件上，半導體行業(yè)一直使用深紫外線(xiàn) (DUV) 光波。以后更短的波長(cháng)將是 EUV 的天下。專(zhuān)家預測，使用EUV 光刻有可能創(chuàng )造出比當今最強大的芯片還要快一百倍的器件。

　　KLA-Tencor 的副總裁兼工藝控制信息部的總經(jīng)理 Ed Charrier 表示：“業(yè)界光刻技術(shù)藍圖將 EUV 列為幾年內生產(chǎn)半導體器件的一項潛在技術(shù)，但還有若干技術(shù)障礙需要克服。我們的新版計算光刻工具 PROLITH 12 讓研究人員能夠精確地模擬 EUV 光波與光罩、成像材料及工藝之間的相互作用，以預測晶片上圖案的結果。有了 PROLITH 12，研究人員無(wú)需使用試驗材料和任何制程設備，他們也不必經(jīng)歷數百個(gè)測試晶片光刻的昂貴和漫長(cháng)的過(guò)程。”

　　光刻波長(cháng)的變化歷來(lái)是一項重大任務(wù)，因為必須開(kāi)發(fā)和測試新的掃描曝光機、新的光刻膠材料和新的光罩。轉換到 EUV 光刻會(huì )帶來(lái)新的挑戰，即必須使用來(lái)自不透明光罩的反射光來(lái)刻畫(huà)晶片，因為現在沒(méi)有光罩材料對 EUV 光是透明的。這個(gè)重大變化造成印在晶片上的圖案不對稱(chēng)。PROLITH 12 就是專(zhuān)為解決 EUV 特有的挑戰而設計的。

　　作為業(yè)界領(lǐng)先的 PROLITH 平臺的升級版，PROLITH 12 是 KLA-Tencor 先進(jìn)光刻解決方案組合中的拳頭產(chǎn)品。PROLITH 12 已被美國和亞洲的研發(fā)機構及先進(jìn)的內存制造商采用，幫助研發(fā)工程師判斷 EUV 光刻的可行性，并確定 EUV 能夠獲得成功的條件。