KLA-Tencor為尖端集成電路器件技術(shù)推出全新量測系統

　　KLA-Tencor公司今天針對10納米以下(sub-10nm)集成電路(IC)器件的開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)推出四款創(chuàng )新的量測系統：Archer?600疊對量測系統，WaferSight? PWG2圖案晶片幾何特征測量系統，SpectraShape? 10K光學(xué)關(guān)鍵尺寸(CD)量測系統和SensArray? HighTemp 4mm即時(shí)溫度測量系統。 這四款新系統進(jìn)一步拓寬了KLA-Tencor的獨家5D圖案成像控制解決方案?應用，提升了包括自對準四重曝光(SAQP)和極紫外線(xiàn)(EUV)光刻在內的先進(jìn)圖案成像技術(shù)。

　　“領(lǐng)先的器件制造商正面對著(zhù)極為嚴苛的圖案成像規格?！?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/KLA-Tencor">KLA-Tencor首席營(yíng)銷(xiāo)官Oreste Donzella指出：“為了解決圖案成像的誤差，芯片制造商需要量化工藝變化，區分變化產(chǎn)生的原因并從根源解決問(wèn)題。今天發(fā)布的全新量測系統可以為客戶(hù)提供關(guān)鍵的數據，幫助工程師落實(shí)光刻工藝中曝光機的具體校正，以及蝕刻、薄膜和其他工藝模塊中的工藝改進(jìn)。 我們推出了全新的疊對量測，圖案晶片幾何特征，光學(xué)關(guān)鍵尺寸和即時(shí)溫度測量等系統，這對于推動(dòng)193i多重曝光性能和早期EUV光刻基準數據收集等方面都極為關(guān)鍵?！?/p>

　　Archer 600采用全新光學(xué)系統和新型測量圖形，延伸基于圖像的疊對誤差量測技術(shù)，幫助先進(jìn)的邏輯電路和內存芯片制造商實(shí)現小于將3nm(sub-3nm)的疊對誤差。 創(chuàng )新的ProAIM?圖形技術(shù)可以容忍更大的工藝變化，提升量測圖形反應的疊對誤差與器件本身疊對誤差的相關(guān)性，實(shí)現更精確的疊對誤差量測。 Archer 600的新型光學(xué)技術(shù)，包括亮度更高的光源和偏振模塊，能夠在不同的工藝層上(從薄光阻層到不透明阻擋層)提供更精確的疊對誤差反饋和控制。 隨著(zhù)產(chǎn)能的提高，Archer 600可以增加疊對誤差的采樣，提升校準曝光機以及識別產(chǎn)線(xiàn)工藝異常的能力。 Archer 600系統已經(jīng)由全球多個(gè)代工廠(chǎng)，邏輯電路和內存廠(chǎng)商安裝運行，用于測量最先進(jìn)的半導體器件。

　　WaferSight PWG2 提供有關(guān)晶片應力和形狀均勻性的全面數據，在膜沉積、退火、蝕刻及其他工藝制程中被用于檢測和匹配工藝參數。隨著(zhù)產(chǎn)能的顯著(zhù)提升， WaferSight PWG2可以在生產(chǎn)中增加晶片取樣，協(xié)助芯片制造商識別和修復由工藝引起的晶片應力變化，并消除隨之而來(lái)的圖案成像和良率問(wèn)題。 WaferSight PWG2提供的晶片形狀數據還可以被前饋到曝光機，并用消除晶片應力所引起的疊對誤差，這對于3D NAND快閃內存器件的制造尤為重要，因為厚膜堆疊技術(shù)可能造成晶片的變形。憑借業(yè)界獨特的垂直晶片支架，WaferSight PWG2可以同時(shí)測量晶片的前后表面，提供晶片平坦度和形貌數據，用以改進(jìn)曝光機對焦的預測和控制。多家技術(shù)先進(jìn)的IC制造商安裝了WaferSight PWG2系統，用于光刻控制的開(kāi)發(fā)，以及在批量生產(chǎn)中優(yōu)化和檢測各種半導體生產(chǎn)工藝。

　　SpectraShape 10K光學(xué)量測系統在蝕刻，化學(xué)機械拋光(CMP)和其他工藝步驟之后測量復雜IC器件結構的CD和三維形狀。為了全面表征器件結構，SpectraShape 10K采用了多項光學(xué)技術(shù)，包括橢圓測厚儀的全新偏振能力和多角入射，以及用于反射計的TruNI?照明新型高亮度光源。這些技術(shù)保證該系統可以精確地測量許多與FinFET和3D NAND器件相關(guān)的關(guān)鍵參數，例如CD、高度、SiGe形狀和通道孔弓形輪廓。 SpectraShape 10K具有比上一代產(chǎn)品更高的產(chǎn)能，這幫助客戶(hù)可以通過(guò)增加采樣實(shí)現更為嚴格的工藝控制，同時(shí)也可以滿(mǎn)足多重曝光技術(shù)所需的數目繁多的工藝檢測。 SpectraShape 10K深受晶片代工廠(chǎng)青睞，廣泛用于FinFET和多重曝光技術(shù)集成，此外，它們也在許多領(lǐng)先的存儲器廠(chǎng)商中被用于支持先進(jìn)的3D NAND制造。

　　通過(guò)即時(shí)測量，SensArray HighTemp 4mm無(wú)線(xiàn)晶片為先進(jìn)的薄膜工藝提供時(shí)間和空間溫度信息。與之前的產(chǎn)品相比，SensArray HighTemp 4mm具有更薄的晶片厚度，因此與更多類(lèi)型的工藝設備相兼容，其中包括track，strip和物理氣相沉積(PVD)。在20 - 400°C的溫度范圍內，SensArray HighTemp 4mm可以量測溫度變化對工藝窗口和成型表現的影響，從而實(shí)現工藝優(yōu)化和設備驗證。SensArray HighTemp 4mm晶片已被多個(gè)微處理器，DRAM和3D NAND的生產(chǎn)商用于薄膜工藝的調整和常規監控。

　　Archer 600、WaferSight PWG2、SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm與KLA-Tencor的5D Analyzer?高級數據分析系統相結合，支持實(shí)時(shí)工藝控制，并為工程監控分析提供有力工具。為了保持IC制造所需的高性能和高產(chǎn)能，KLA-Tencor的全球綜合服務(wù)網(wǎng)絡(luò )為Archer 600，WaferSight PWG2，SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm系統提供后援支持。有關(guān)四款新系統的更多信息，請參見(jiàn)5D Patterning Control Solution 網(wǎng)頁(yè)。