北工大一成果入選中國高校2007年十大科技進(jìn)展

專(zhuān)家稱(chēng)，該項目是一項集現代電子顯微學(xué)原位表征與納米材料新異物理性能研究于一體的原創(chuàng )性成果，為現代納米材料性能表征提供了新途徑。近年來(lái)，一維納米材料作為具有新異物理性能的納米器件的基本結構單元，引起了世界各國的廣泛重視。張澤院士和韓曉東教授的研究小組，在原位外場(chǎng)作用下納米材料物理性能與顯微結構間關(guān)系研究上，取得了突破性進(jìn)展。發(fā)明了一種集現代電子顯微學(xué)原位表征與納米材料新異物理性能研究于一體的新方法。

在原子尺度對單體一維納米材料力學(xué)等性能進(jìn)行外場(chǎng)作用下原位表征測量，是當今國際納米科學(xué)研究的瓶頸性難題之一。該研究小組發(fā)明了幾項頗具特色的納米操作技術(shù)，并成功用于硅和碳化硅等重要半導體納米線(xiàn)在外場(chǎng)作用下力學(xué)性能與原子尺度顯微結構間關(guān)系研究，取得了突出創(chuàng )新性成果。他們驚奇地發(fā)現，作為現代信息基礎材料的硅這種脆性材料，達一維納米尺度時(shí)，在拉應力外場(chǎng)作用下，也可發(fā)生室溫脆—韌轉變，甚至呈現超常塑性行為。同樣，碳化硅在一維納米尺度也呈現這種室溫超塑性。這類(lèi)共價(jià)鍵結構半導體納米線(xiàn)的超常塑性行為，是伴隨缺陷和非晶態(tài)轉變等一系列結構演變而產(chǎn)生的。這些新方法，不僅對在原子尺度認知新異物理現象與顯微間結構間關(guān)系，而且對他們在先進(jìn)半導體領(lǐng)域的新應用，將提供重要的試驗和理論依據。