全球的DRAM戰不可避免

據日本經(jīng)濟新聞報導，中國臺灣的力晶、茂德、南亞及華邦四家DRAM大廠(chǎng)，為與韓國Samsung及日本Elpida等抗爭，最近決定再投入100億美元進(jìn)行擴產(chǎn)。

全球DRAM的現狀
2003年全球DRAM的銷(xiāo)售額為174.5億美元，占全球半導體消費的10.6%。2003年全球DRAM排名如表1所示。其中1~4名占據78.9%，反映DRAM市場(chǎng)的壟斷地位。

DRAM是“吞金獸”
自70年代初發(fā)明CMOS技術(shù)以來(lái)，半導體工業(yè)從理論上己無(wú)多大突破，所以就非常明顯的依賴(lài)制造技術(shù)。
在摩爾定律指引下，半導體工業(yè)的進(jìn)步，除了技術(shù)及材料之外，主要體現在兩個(gè)方面：不斷地縮小特征尺寸及使用大直徑的硅片。目前特征尺寸已達90nm量產(chǎn)；12英寸硅片也已占硅片總產(chǎn)能的15%，但要真正成為主流，性?xún)r(jià)比與8英寸硅片相匹敵，尚需時(shí)日。不管如何，無(wú)論從存儲器的每一位成本或者CPU中每萬(wàn)個(gè)晶體管的制造成本，幾乎還是每18~24個(gè)月降低一半，推動(dòng)半導體工業(yè)的進(jìn)展。目前還不能把半導體與鋼鐵、汽車(chē)等全球成熟工業(yè)相提并論。
半導體工業(yè)依賴(lài)制造技術(shù)，而半導體工業(yè)已經(jīng)發(fā)展到“設備固化了技術(shù)”的階段,即買(mǎi)到先進(jìn)的設備，就能保證實(shí)現某類(lèi)先進(jìn)的工藝技術(shù)。因此在一定程度上誰(shuí)能購買(mǎi)最先進(jìn)的設備就能在工藝技術(shù)中領(lǐng)先。因此，排在全球首位的半導體廠(chǎng)，必須有資金實(shí)力，能持續不斷地投入，否則就很難始終保持領(lǐng)先。表2為2003~2004年全球半導體產(chǎn)業(yè)各地區資本支出成長(cháng)與所占比例。
全球DRAM的市場(chǎng)競爭尤為劇烈，呈現壟斷化。DRAM有自身獨特的規律，在設計中矛盾并不突出，只要工藝技術(shù)過(guò)關(guān)，管理水平到位，主要矛盾就在于拼成本。就是說(shuō)，在一個(gè)8英寸或者12英寸圓片上，能容納多少個(gè)256MDRAM的芯片。如Samsung及Infineon等已投入0.11微米的DRAM生產(chǎn)，因此0.13或者0.15微米的性?xún)r(jià)比肯定不行。另外，Samsung等正大力建12英寸新DRAM生產(chǎn)線(xiàn)。如果12英寸的技術(shù)及工藝水平能達到與8英寸同等，則從12英寸中產(chǎn)出的DRAM成本肯定更便宜。所以DRAM的競爭特點(diǎn)是采用最先進(jìn)的工藝設備及盡可能地采用更大直徑的硅片。由此表明，在DRAM的競爭中，很大程度上取決于資金實(shí)力?？v觀(guān)近幾年在DRAM市場(chǎng)爭得首席的Samsung的動(dòng)作，就能充分證實(shí)這個(gè)觀(guān)點(diǎn)。

0.11微米DRAM己成主流
目前三星的所有產(chǎn)能中，有48%的產(chǎn)出來(lái)自0.11微米制程，49%來(lái)自0.10微米制程，意即目前Samsung幾乎全數產(chǎn)出來(lái)自0.11微米以下制程。此外，Samsung也開(kāi)始使用90納米制程技術(shù)試產(chǎn)NAND Flash，但尚未量產(chǎn)。
美光和英飛凌在第二季時(shí)，也都因為0.11微米制程轉換不順，影響產(chǎn)出，但目前2家業(yè)者0.11微米制程良率均已大幅提升，且都開(kāi)始大量投片。美光現階段在標準型DRAM部分，約有70％的產(chǎn)出是以0.11微米制程為主，而英飛凌也有約70％產(chǎn)出是采用0.11微米制程。英飛凌預計到年底時(shí)0.11微米制程產(chǎn)出比重將提升至80％。
　隨著(zhù)國際DRAM大廠(chǎng)走過(guò)0.11微米制程轉換障礙，目前情況可說(shuō)是柳暗花明。但反觀(guān)中國臺灣DRAM業(yè)者在0.11微米制程進(jìn)度，則相對落后不少，臺廠(chǎng)現階段主流制程仍停留在0.14/0.13微米制程，0.11微米制程良率雖正逐步提升，但仍處于苦苦追趕階段。表3為全球主要DRAM大廠(chǎng)采用0.11微米制程的發(fā)展現狀。
DRAM戰在亞洲
由于全球在DRAM技術(shù)方面差異不大，所以競爭的焦點(diǎn)轉向拼投資強度，即采用最先進(jìn)的工藝設備，或者擴大12英寸硅片產(chǎn)能。在這樣的思維指導下，韓國，中國臺灣及日本在DRAM方面的競爭加劇。
目前韓國占先，其中Samsung一家就占全球DRAM的近1/3市場(chǎng)份額，而且穩居第一，獨霸天下。日本原先為全球DRAM的老大，后被韓國超過(guò)之后，有點(diǎn)消沉。近幾年通過(guò)改組，分別成立了Renesas及Elpida后稍有起色。目前方針?lè )浅Ｇ宄?，?zhuān)注高檔DRAM產(chǎn)品，將大部分低檔產(chǎn)品分包給中國臺灣及中國大陸。中國臺灣在DRAM方面是老三。然而由于中國臺灣在資金方面充裕，加上其總想在IT領(lǐng)域與韓國爭個(gè)高低。所以近期正在DRAM方面展開(kāi)反擊戰，形勢咄咄逼人。
臺灣廠(chǎng)商投資手筆亦是空前絕后，其中力晶投資額預計為21億美元，茂德投資金額約達45億美元，南亞科則預計投資約22億美元，華邦投資金額約15億美元，總量達103億美元。
至于一直以來(lái)對投資始終領(lǐng)先的Samsung，更是進(jìn)一步加碼投資。該公司在2004年7月將2004年度的設備投資額調高到8.94兆韓元(約76.8億美元)，而增加的1兆韓元預算，多半用來(lái)增產(chǎn)DRAM。預料2005年該公司的投資腳步仍不會(huì )中斷。
而日本僅存的DRAM供應商Elpida，在2004年6月中宣布要在3年內投資5,000億日元，打造全球最大的DRAM生產(chǎn)據點(diǎn)，月產(chǎn)能達6萬(wàn)片。Elpida預言，5年內全球DARM市場(chǎng)版圖，僅將由2~3家大廠(chǎng)均分天下。

Hynix與STMicron聯(lián)手在中國建DRAM生產(chǎn)廠(chǎng)
據報道，韓國Hynix欲聯(lián)手STMicron在中國建DRAM生產(chǎn)廠(chǎng)。這是中國大陸第一個(gè)DRAM生產(chǎn)工廠(chǎng)，之前只是SMIC等代工做DRAM芯片。從披露的消息看，總投資達20億美元，其中Hynix和STMicron各出資5億美元，而從中國銀行系統貸款10億美元。計劃先建一個(gè)8英寸廠(chǎng)，然后按需再建一個(gè)12英寸廠(chǎng)。
敢于第一次嘗試在中國大陸土地上建DRAM廠(chǎng)，需要有一定的魄力。眾所周知，全球DRAM呈壟斷態(tài)勢，韓國的Samsung有點(diǎn)Intel的霸氣。加上日本及中國臺灣最近都正在加大DRAM的投入，而且投資手筆之大，令人驚奇不己。在這樣的背景下，Hynix自身技術(shù)水準也僅二流，而且也缺乏資金。如果僅依靠中國政府的資金支持，開(kāi)初或許還能咬咬牙，之后要連續高強度的支持，恐怕是一個(gè)問(wèn)號。孰兇孰吉，將拭目以待。

結語(yǔ)
全球半導體工業(yè)的發(fā)展在創(chuàng )新方面(如fabless公司等)，毫無(wú)疑問(wèn)，美國領(lǐng)先。在近600家可以排得上名的公司之中，美國占475家；然而在DRAM生產(chǎn)中，美國僅保留一家，Micron全球第二。所以全球DRAM的戰事，不可避免的在亞洲將首先興起。戰事的結果決定于誰(shuí)敢于冒更大的風(fēng)險，拼投資強度。從長(cháng)遠發(fā)展趨勢看，象DRAM這種制造技術(shù)優(yōu)先的產(chǎn)品，將來(lái)肯定是韓國及中國臺灣的天下。中國欲聯(lián)手Hynix及STMicron進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)，形勢比較嚴峻。因為DRAM是富人俱樂(lè )部。