鎧俠將開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND

 11 月 7 日消息，鎧俠日本當地時(shí)間昨日表示，其“創(chuàng )新型存儲制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統基礎設施研究開(kāi)發(fā)項目 / 先進(jìn)半導體制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”計劃采納。

鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統時(shí)代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數據量預計將變得極其龐大，從而導致數據中心的數據處理和功耗增加。因此數據中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數據，提高容量并降低功耗。

鎧俠計劃開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM 內存功耗更低且位密度更高的同時(shí)較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲器。這不僅可提高存儲器利用效率，還有助于節能。

據《日本經(jīng)濟新聞》報道，鎧俠計劃未來(lái) 3 年斥資 360 億日元（IT之家備注：當前約 16.77 億元人民幣）用于新型 CXL 存儲器開(kāi)發(fā)，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將提供 180 億日元（當前約 8.39 億元人民幣）補貼，相關(guān)產(chǎn)品有望于 21 世紀 30 年代早期實(shí)現商業(yè)化。