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鎧俠將開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND
- 11 月 7 日消息，鎧俠日本當地時(shí)間昨日表示，其“創(chuàng )新型存儲制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統基礎設施研究開(kāi)發(fā)項目 / 先進(jìn)半導體制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統時(shí)代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數據量預計將變得極其龐大，從而導致數據中心的數據處理和功耗增加。因此數據中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數據，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM
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