臺大研發(fā)零缺陷半導體材料 登國際期刊

　　傳統上，當半導體材料越薄，其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響，一直是難以突破的困境。臺灣大學(xué)跨國團隊研發(fā)出獨步全球的零缺陷半導體材料，透過(guò)“修復缺陷”簡(jiǎn)單方法，讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級，可提升LED發(fā)光效能100倍。上月研究刊登在“科學(xué)”《Science》期刊。

　　二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學(xué)、機械特性，可整合于現今半導體元件制程，被學(xué)界認為有很大潛力取代傳統矽材原料，其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門(mén)的半導體二維材料之一，但以目前合成制備技術(shù)，二維材料的缺陷密度還是太高，成為應用瓶頸，如何減少、控制缺陷是所有半導體材料需克服的問(wèn)題。

　　臺大跨國研究團隊透過(guò)將二維材料浸潤于一種稱(chēng)為亞胺(bistriflimide)的有機超強酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，從不到1%增加到接近100%，單層薄膜能達到完美的“零缺陷”，大幅提高發(fā)光效率。技術(shù)可望用于開(kāi)發(fā)透明LED顯示器、超高效太陽(yáng)能電池、高靈敏度光偵測器、低功耗的奈米級電晶體等。 臺大表示，這項研究的跨國研究團隊由加州大學(xué)柏克萊分校教授A(yíng)li Javey、阿卜杜拉國王科技大學(xué)(KAUST)教授何志浩(前臺大電機系教授)、前臺大校長(cháng)李嗣涔等共同組成。研究的共同第一作者連德軒，今年剛完成博士口試，本學(xué)期將畢業(yè)，現已在加州柏克萊大學(xué)執行科技部第二年的龍門(mén)計畫(huà)，畢業(yè)后則將繼續在加州大學(xué)柏克萊分校繼續擔任博士后研究員。