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二維半導體
二維半導體 文章 進(jìn)入二維半導體技術(shù)社區
北大課題組：高性能二維半導體新材料展現出優(yōu)異性能
- 半導體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。目前，隨著(zhù)晶體管特征尺寸的縮小，由于短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，主流硅基材料與CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節點(diǎn)而很難提升，摩爾定律可能終結。 因此，開(kāi)發(fā)新型高性能半導體溝道材料和新原理晶體管技術(shù)，是科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界近20年來(lái)的主流研究方向之一。在眾多CMOS溝道材料體系中，相比于一維納米線(xiàn)和碳納米管，高遷移率二維半導體的器件加工與傳統微電子工藝兼容更好，同時(shí)其超薄平面結構可有效抑制短溝道效應，被認為是構筑后硅時(shí)代納電子器件和數字
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臺大研發(fā)零缺陷半導體材料 登國際期刊
- 傳統上，當半導體材料越薄，其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響，一直是難以突破的困境。臺灣大學(xué)跨國團隊研發(fā)出獨步全球的零缺陷半導體材料，透過(guò)“修復缺陷”簡(jiǎn)單方法，讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級，可提升LED發(fā)光效能100倍。上月研究刊登在“科學(xué)”《Science》期刊?！ 《S半導體材料具有特殊的電子傳導、光學(xué)、機械特性，可整合于現今半導體元件制程，被學(xué)界認為有很大潛力取代傳統矽材原料，其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門(mén)的半導體二維材料之一，但以目前合成制備技術(shù)，二維材料的缺陷密度還是
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導體所等在二維半導體異質(zhì)結研究中取得新進(jìn)展
- 近日，中科院半導體所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹(shù)深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質(zhì)結的基礎研究中取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在9月30日美國化學(xué)學(xué)會(huì )主辦的《納米快報》(Nano Letters)上。 半導體異質(zhì)結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質(zhì)結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質(zhì)結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質(zhì)。在傳統半導體領(lǐng)域，以
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二維半導體介紹
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