臺積進(jìn)擊7納米 力壓英特爾

　　臺積電共同執行長(cháng)劉德音昨(3)日首次揭露，臺積電7奈米將于2017年第2季試產(chǎn)，并向供應鏈喊話(huà)共同合作，全力投入5奈米研發(fā)，向挑戰全球半導體霸主地位邁進(jìn)。

　　劉德音昨天是在主持臺積電供應鏈管理論壇時(shí)，向到場(chǎng)的逾600名來(lái)自全球的設備及材料供應商揭露臺積電先進(jìn)制程最新藍圖。法人認為，臺積電先進(jìn)制程演進(jìn)速度快，漢微科等高階設備廠(chǎng)，將扮演重要的助攻角色。

　　臺積電截至目前已量產(chǎn)的16奈米，進(jìn)度都落后英特爾，在下一世代的10奈米，臺積電首度超車(chē)，將在明年初開(kāi)始試產(chǎn)，明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，比英特爾2017年量產(chǎn)的時(shí)間快至少六個(gè)月。

　　在昨天之前，臺積電均未透露7奈米確切的試產(chǎn)時(shí)間，更從未提及5奈米。劉德音昨天首度披露臺積電7奈米將于2017年第2季試產(chǎn)，并已投入5奈米研發(fā)。

　　業(yè)界認為，此舉象征臺積電“就是要比對手快”，未來(lái)蘋(píng)果、輝達等大客戶(hù)要在最快的時(shí)間內使用最新的制程，“一定要找臺積電”。臺積電藉此可持續拓展高階制程市占，提升獲利能力。

　　劉德音說(shuō)，臺積電已成功以7奈米制程產(chǎn)出靜態(tài)存取記憶體(SRAM)，打臉先前自稱(chēng)以10奈米產(chǎn)出SRAM的三星。他強調，7奈米預定2017年第2季完成產(chǎn)品設計定案(tape out)，和10奈米制程只差五季。

　　依此時(shí)程推算，臺積電明年初就會(huì )啟動(dòng)10奈米試產(chǎn)，因此從今年第4季起密集采購10奈米生產(chǎn)線(xiàn)相關(guān)設備，以利明年第1季啟動(dòng)10奈米試產(chǎn)。

　　至于明年挹注營(yíng)收的主力制程16奈米，劉德音強調，到今年底共有27個(gè)產(chǎn)品完成產(chǎn)品設計定案，預估到明年底將達到100個(gè)，有助臺積電提升市占率;臺積電今年在全球晶圓代工市占率將達到54%，持續獨霸全球。

　　臺 積電先前下修今年資本支出到80億美元，稍早劉德音接受外電專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)透露，明年資本支出將超過(guò)今年，設備商推估將逾百億美元，甚至達120億美元，創(chuàng )歷史新 高，凸顯臺積電投入7奈米先進(jìn)制程研發(fā)、增加16奈米產(chǎn)能、布建10奈米試產(chǎn)線(xiàn)，明年幾乎三路并進(jìn)，卯足全勁，要超越英特爾。